SQ2364EES-T1_GE3: MOSFET Automotive Canale N 60 V, 175 °C, SOT-23
Vishay

L'SQ2364EES-T1_GE3 di Vishay è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni automotive, incapsulato in un compatto pacchetto SOT-23. Questo componente è caratterizzato dalla sua capacità di operare a temperature elevate fino a 175 °C, rendendolo adatto ad ambienti esigenti. È qualificato AEC-Q101, garantendo affidabilità e prestazioni di grado automotive. Il MOSFET presenta la tecnologia TrenchFET®, fornendo una maggiore efficienza e una ridotta resistenza in conduzione.

Gli attributi chiave includono una tensione drain-source (VDS) di 60 V e una corrente di drain continua (ID) di 2 A a 25 °C, con la capacità di gestire correnti di drain pulsate fino a 8 A. Offre anche una robusta protezione ESD fino a 800 V. La bassa resistenza in conduzione (RDS(on)) del dispositivo a varie tensioni gate-source evidenzia la sua efficienza nella conduzione della corrente. Inoltre, è testato al 100% Rg e UIS, garantendo prestazioni costanti su tutte le unità.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDS): 60 V
  • Tensione Gate-Source (VGS): ± 8 V
  • Corrente di Drain Continua (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
  • Massima Dissipazione di Potenza @ 25 °C: 3 W
  • Intervallo Temperatura di Giunzione Operativa: da -55 a +175 °C
  • Package: SOT-23

Datasheet SQ2364EES-T1_GE3

Datasheet SQ2364EES-T1_GE3 (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per SQ2364EES-T1_GE3, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Elettronica automobilistica
  • Sistemi di gestione dell'alimentazione
  • Applicazioni ad alta temperatura

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici grazie alla loro alta efficienza, affidabilità e capacità di gestire livelli di potenza significativi. I MOSFET a canale N, in particolare, sono preferiti per la loro elevata mobilità degli elettroni e facilità di integrazione in vari circuiti.

Quando si seleziona un MOSFET per un'applicazione specifica, devono essere considerati diversi fattori, tra cui la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain continua (ID) e la resistenza on (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e la sua efficienza nel circuito. Anche il tipo di package gioca un ruolo cruciale nella gestione termica del dispositivo.

I MOSFET sono integrali nei sistemi di conversione e gestione della potenza, offrendo soluzioni per una distribuzione efficiente della potenza. Sono particolarmente preziosi nelle applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità, basso consumo energetico e dimensioni compatte. Le applicazioni automobilistiche richiedono spesso MOSFET in grado di operare in modo affidabile in condizioni difficili, tra cui alte temperature e tensioni.

Il MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 di Vishay, con la sua tolleranza alle alte temperature e la qualifica automobilistica, esemplifica i progressi nella tecnologia MOSFET, soddisfacendo le rigorose esigenze dell'elettronica automobilistica e dei sistemi di gestione dell'alimentazione.

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