SQ2364EES-T1_GE3: MOSFET N-Channel 60 V, 175 °C, SOT-23 per applicazioni automobilistiche
Vishay

L'SQ2364EES-T1_GE3 di Vishay è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni automobilistiche, incapsulato in un compatto pacchetto SOT-23. Questo componente è caratterizzato dalla sua capacità di operare ad alte temperature fino a 175 °C, rendendolo adatto per ambienti impegnativi. È qualificato AEC-Q101, garantendo affidabilità e prestazioni di grado automobilistico. Il MOSFET presenta la tecnologia TrenchFET®, fornendo efficienza migliorata e ridotta resistenza in conduzione.

Gli attributi chiave includono una tensione drain-source (VDS) di 60 V e una corrente di drain continua (ID) di 2 A a 25 °C, con la capacità di gestire correnti di drain impulsive fino a 8 A. Offre inoltre una robusta protezione ESD fino a 800 V. La bassa resistenza in stato acceso (RDS(on)) a varie tensioni gate-source evidenzia la sua efficienza nel condurre la corrente. Inoltre, è testato al 100% per Rg e UIS, garantendo prestazioni coerenti in tutte le unità.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione drain-source (VDS): 60 V
  • Tensione gate-source (VGS): ± 8 V
  • Corrente di drain continua (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Corrente di drain pulsata (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
  • Dissipazione massima di potenza @ 25 °C: 3 W
  • Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione: -55 a +175 °C
  • Pacchetto: SOT-23

SQ2364EES-T1_GE3 Scheda tecnica

SQ2364EES-T1_GE3 scheda tecnica (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per SQ2364EES-T1_GE3, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Elettronica automobilistica
  • Sistemi di gestione dell'alimentazione
  • Applicazioni ad alta temperatura

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET (Transistori ad Effetto di Campo Metallo-Ossido-Semiconduttore) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici grazie alla loro alta efficienza, affidabilità e capacità di gestire livelli di potenza significativi. I MOSFET a canale N, in particolare, sono preferiti per la loro alta mobilità degli elettroni e facilità di integrazione in vari circuiti.

Quando si seleziona un MOSFET per una specifica applicazione, diversi fattori devono essere considerati, inclusi la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain continua (ID) e la resistenza on (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e la sua efficienza nel circuito. Anche il tipo di pacchetto gioca un ruolo cruciale nella gestione termica del dispositivo.

I MOSFET sono integrali nei sistemi di conversione e gestione della potenza, offrendo soluzioni per una distribuzione energetica efficiente. Sono particolarmente preziosi in applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità, basso consumo energetico e dimensioni compatte. Le applicazioni automotive spesso richiedono MOSFET in grado di funzionare in modo affidabile in condizioni difficili, inclusi alte temperature e tensioni.

Il MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 di Vishay, con la sua tolleranza ad alte temperature e qualificazione automobilistica, esemplifica i progressi nella tecnologia MOSFET, soddisfacendo le rigorose richieste dell'elettronica automobilistica e dei sistemi di gestione della potenza.

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