Il 2N7002LT1G di onsemi è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni di commutazione di piccoli segnali. Alloggiato in un pacchetto compatto SOT-23, questo MOSFET supporta una tensione drain-source (VDSS) fino a 60V e una corrente di drain continua (ID) di 115mA a 25°C. Presenta una bassa resistenza in stato on (RDS(on)) di 7.5 Ohm a VGS = 10V, migliorando la sua efficienza nel funzionamento del circuito.
Il dispositivo offre anche robuste prestazioni termiche con una resistenza termica massima giunzione-ambiente (RθJA) di 556 °C/W su una scheda FR-5. Per applicazioni che richiedono una maggiore efficienza termica, le prestazioni del dispositivo su un substrato di allumina mostrano un RθJA migliorato di 417 °C/W. Il 2N7002LT1G è progettato per gestire correnti di drain pulsate (IDM) fino a 800mA, fornendo flessibilità per una serie di requisiti di progettazione. Le sue caratteristiche dinamiche includono capacità di ingresso, uscita e trasferimento inverso, facilitando una modellazione accurata nelle applicazioni di commutazione.
MOSFET
I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici grazie alla loro elevata impedenza di ingresso, che riduce al minimo l'assorbimento di corrente dalla sorgente di ingresso, e alla loro capacità di operare ad alte velocità. I MOSFET a canale N, come il 2N7002LT1G, conducono quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto al source, rendendoli adatti a una varietà di applicazioni tra cui la gestione dell'alimentazione, la commutazione del carico e l'amplificazione del segnale.
Quando si seleziona un MOSFET per un'applicazione specifica, parametri importanti da considerare includono la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID), la resistenza in stato on (RDS(on)) e le caratteristiche termiche. Il rating VDSS indica la tensione massima che il MOSFET può bloccare quando è spento, mentre il rating ID fornisce la corrente massima che può condurre quando è acceso. Il valore RDS(on) è critico per l'efficienza energetica, poiché valori più bassi comportano una minore dissipazione di potenza. Le caratteristiche termiche, come la resistenza termica giunzione-ambiente (RθJA), sono importanti anche per garantire che il dispositivo operi entro limiti di temperatura sicuri.
Oltre a questi parametri, le caratteristiche di commutazione del MOSFET, come i tempi di accensione e spegnimento, sono cruciali per le applicazioni che richiedono velocità di commutazione elevate. Le caratteristiche del diodo body, che descrivono il comportamento del diodo intrinseco tra drain e source, sono rilevanti per le applicazioni che comportano un flusso di corrente inverso. Nel complesso, la selezione di un MOSFET dovrebbe basarsi su una valutazione completa delle sue prestazioni elettriche e termiche per soddisfare i requisiti specifici dell'applicazione prevista.