Il 2N7002LT1G di onsemi è un MOSFET N-Channel progettato per applicazioni di commutazione di piccoli segnali. Alloggiato in un compatto package SOT-23, questo MOSFET supporta una tensione drain-source (VDSS) fino a 60V e una corrente drain continua (ID) di 115mA a 25°C. Presenta una bassa resistenza in stato on (RDS(on)) di 7,5 Ohm a VGS = 10V, migliorando l'efficienza nell'operazione del circuito.
Il dispositivo offre anche prestazioni termiche robuste con una resistenza termica massima giunzione-ambiente (RθJA) di 556 °C/W su una scheda FR-5. Per applicazioni che richiedono un'efficienza termica maggiore, le prestazioni del dispositivo su un substrato di allumina mostrano un RθJA migliorato di 417 °C/W. Il 2N7002LT1G è progettato per gestire correnti di drenaggio pulsate (IDM) fino a 800mA, fornendo flessibilità per una gamma di requisiti di progettazione. Le sue caratteristiche dinamiche includono capacità di ingresso, uscita e trasferimento inverso, facilitando la modellazione accurata nelle applicazioni di commutazione.
MOSFET
I MOSFET (Transistori ad Effetto di Campo Metallo-Ossido-Semiconduttore) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici grazie alla loro alta impedenza di ingresso, che minimizza il prelievo di corrente dalla fonte di ingresso, e alla loro capacità di operare ad alte velocità. I MOSFET a canale N, come il 2N7002LT1G, conducono quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto alla sorgente, rendendoli adatti per una varietà di applicazioni tra cui la gestione della potenza, la commutazione del carico e l'amplificazione del segnale.
Quando si seleziona un MOSFET per una specifica applicazione, è importante considerare parametri come la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID), la resistenza in stato di conduzione (RDS(on)) e le caratteristiche termiche. La valutazione VDSS indica la massima tensione che il MOSFET può bloccare quando è spento, mentre la valutazione ID fornisce la massima corrente che può condurre quando è acceso. Il valore RDS(on) è critico per l'efficienza energetica, poiché valori più bassi comportano una minore dissipazione di potenza. Anche le caratteristiche termiche, come la resistenza termica giunzione-ambiente (RθJA), sono importanti per garantire che il dispositivo operi entro limiti di temperatura sicuri.
Oltre a questi parametri, le caratteristiche di commutazione del MOSFET, come i tempi di accensione e spegnimento, sono cruciali per applicazioni che richiedono velocità di commutazione rapide. Le caratteristiche del diodo di corpo, che descrivono il comportamento del diodo intrinseco tra drain e source, sono rilevanti per applicazioni che coinvolgono il flusso di corrente inversa. Nel complesso, la selezione di un MOSFET dovrebbe basarsi su una valutazione completa delle sue prestazioni elettriche e termiche per soddisfare i requisiti specifici dell'applicazione prevista.