PMV55ENEAR: MOSFET a trincea N-channel 60V, SOT23, livello logico, commutazione rapida
Nexperia

Il Nexperia PMV55ENEA è un transistor a effetto di campo (FET) N-channel da 60V, in modalità di potenziamento, che impiega la tecnologia Trench MOSFET. Confezionato in un compatto pacchetto plastico SMD (Dispositivo Montato in Superficie) SOT23 (TO-236AB), è progettato per applicazioni ad alta densità su PCB. Questo MOSFET è notevole per la sua compatibilità a livello logico, consentendogli di essere pilotato direttamente da circuiti logici senza la necessità di driver di gate aggiuntivi.

Dotato di capacità di commutazione molto veloci, il PMV55ENEA è ideale per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Include anche una protezione integrata contro le Scariche Elettrostatiche (ESD) che supera i 2 kV HBM, aumentando la sua robustezza in ambienti sensibili. Inoltre, è qualificato AEC-Q101, rendendolo adatto per applicazioni automobilistiche dove la affidabilità è fondamentale.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDS): 60V
  • Tensione Gate-Source (VGS): ±20V
  • Corrente di Drain (ID): 3.1A a VGS = 10V, 25°C
  • Resistenza On-State Drain-Source (RDSon): 46 a 60mΩ a VGS = 10V, ID = 3.1A, 25°C
  • Carica totale del Gate (QG(tot)): 12.7 a 19nC
  • Tensione di rottura statica Drain-Source (V(BR)DSS): 60V
  • Tensione di soglia Gate-Source (VGSth): 1.3 a 2.7V

PMV55ENEAR Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per PMV55ENEAR, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Driver di relè
  • Driver di linea ad alta velocità
  • Interruttore di carico lato basso
  • Circuiti di commutazione

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET a canale N sono un tipo di Transistor ad Effetto di Campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per commutare e amplificare segnali. Operano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di sorgente e di drenaggio. Il termine canale N si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che fluiscono attraverso il dispositivo.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, le considerazioni chiave includono la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di tensione e corrente, così come la sua efficienza e velocità nelle applicazioni di commutazione.

I MOSFET sono componenti essenziali in una vasta gamma di applicazioni, dalla gestione e conversione della potenza all'elaborazione dei segnali. La scelta della tecnologia MOSFET, come il MOSFET a trincea, influenza le caratteristiche di prestazione del dispositivo, inclusa la velocità di commutazione, la resistenza in stato di conduzione e la robustezza contro le sovratensioni.

Per gli ingegneri, comprendere i requisiti specifici della loro applicazione è cruciale nella selezione del MOSFET appropriato. Questo include considerare l'ambiente operativo, come le gamme di temperatura e la presenza di potenziali scariche elettrostatiche, che potrebbero impattare sulla prestazione e affidabilità del MOSFET.

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