Il 2N7002-7-F è un MOSFET a canale N in modalità Enhancement progettato per offrire una bassa resistenza in stato on (RDS(ON)) mantenendo prestazioni di commutazione superiori. Questo MOSFET presenta una tensione massima drain-source (VDSS) di 60V, una corrente continua di drain (ID) di 210mA e una RDS(ON) massima di 7.5Ω a una tensione gate-source (VGS) di 5V. Il suo design è ottimizzato per un'alta efficienza nelle applicazioni di gestione della potenza, combinando una bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione rapida in un piccolo pacchetto a montaggio superficiale SOT-23.
Questo componente è adatto per una vasta gamma di applicazioni, tra cui il controllo motori e le funzioni di gestione dell'alimentazione, dove una gestione efficiente della potenza e prestazioni affidabili sono importanti. Il 2N7002-7-F è prodotto da Diodes Inc. ed è completamente conforme agli standard RoHS, rendendolo una scelta adatta per applicazioni attente all'ambiente.
Transistor
I MOSFET a canale N in modalità di arricchimento sono ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per la loro efficienza e affidabilità nelle applicazioni di commutazione. Questi componenti operano permettendo alla corrente di fluire tra i terminali di drain e source quando viene applicata una tensione sufficiente al terminale di gate, agendo efficacemente come un interruttore. La designazione Canale-N si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che conducono la corrente attraverso il dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri considerano diversi parametri chiave, tra cui la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID) e la resistenza statica drain-source on (RDS(ON)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i requisiti di tensione e corrente dell'applicazione, nonché la sua efficienza. Anche la tensione gate-source (VGSS) è importante, in quanto influisce sulla tensione richiesta per accendere e spegnere il dispositivo.
Nelle applicazioni che richiedono una gestione efficiente dell'alimentazione e una commutazione rapida, la bassa RDS(ON) e la velocità di commutazione rapida del MOSFET sono particolarmente preziose. Le dimensioni ridotte del package, come il SOT-23, sono vantaggiose anche per i progetti con vincoli di spazio. Inoltre, la conformità agli standard ambientali come RoHS è spesso una considerazione nella selezione dei componenti.
Nel complesso, i MOSFET a canale N come il 2N7002-7-F sono essenziali per un'ampia gamma di applicazioni, dal controllo motori alle funzioni di gestione dell'alimentazione, dove è richiesta una commutazione di potenza efficiente e affidabile.