Il 2N7002P,235 di Nexperia è un transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità enhancement che utilizza la tecnologia Trench MOSFET. Confezionato in un piccolo package in plastica per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB), offre una soluzione compatta per varie applicazioni. Questo componente è progettato per operare come line driver ad alta velocità, driver per relè, interruttore di carico low-side e in circuiti di commutazione, tra le altre applicazioni.
Presenta una tensione drain-source (VDS) di 60 V, un intervallo di tensione gate-source (VGS) da -20 a 20 V e una corrente di drain continua (ID) fino a 360 mA a 25°C. Il dispositivo è caratterizzato dalle sue capacità di commutazione rapida e compatibilità a livello logico, rendendolo adatto a un'ampia gamma di circuiti elettronici. Il 2N7002P,235 è anche qualificato AEC-Q101, indicando la sua affidabilità per applicazioni automobilistiche.
Transistor
I MOSFET a canale N sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per la commutazione e l'amplificazione dei segnali. Funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di drain e source, che è modulato dalla tensione applicata al terminale di gate. Canale N si riferisce al tipo di portatore di carica (elettroni) che conduce corrente nel dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, dovrebbero essere considerati diversi parametri chiave, tra cui la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS) e la corrente di drain (ID). Questi parametri determinano la capacità di gestione della potenza e l'efficienza del MOSFET in un circuito. La resistenza in stato on (RDSon) è anche un fattore importante, in quanto influisce sulla perdita di potenza e sulla generazione di calore quando il MOSFET sta conducendo.
Le applicazioni dei MOSFET a canale N sono diverse, spaziando dalla gestione dell'alimentazione nei dispositivi portatili al pilotaggio di motori nelle applicazioni industriali. Le loro capacità di commutazione rapida li rendono adatti per applicazioni di commutazione ad alta velocità, come nei convertitori di potenza e negli inverter.
Gli ingegneri dovrebbero anche considerare le caratteristiche termiche del MOSFET, inclusa la resistenza termica e la temperatura massima di giunzione, per garantire un funzionamento affidabile in varie condizioni operative. Le opzioni di package, come il package SOT23, offrono una soluzione compatta per applicazioni con vincoli di spazio.