Il 2N7002P,235 di Nexperia è un Transistor ad Effetto di Campo (FET) a canale N in modalità di potenziamento che utilizza la tecnologia MOSFET a trincea. Confezionato in un piccolo pacchetto di dispositivo montato in superficie (SMD) in plastica SOT23 (TO-236AB), offre una soluzione compatta per varie applicazioni. Questo componente è progettato per operare come driver di linea ad alta velocità, driver di relè, interruttore di carico a basso lato e in circuiti di commutazione, tra le altre applicazioni.
Presenta una tensione drain-source (VDS) di 60 V, un intervallo di tensione gate-source (VGS) di -20 a 20 V e una corrente di drain continua (ID) fino a 360 mA a 25°C. Il dispositivo è caratterizzato dalle sue capacità di commutazione rapida e compatibilità a livello logico, rendendolo adatto per un'ampia gamma di circuiti elettronici. Il 2N7002P,235 è anche qualificato AEC-Q101, indicando la sua affidabilità per applicazioni automotive.
Transistor
I MOSFET N-channel sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per la commutazione e l'amplificazione dei segnali. Operano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di drain e source, che è modulato dalla tensione applicata al terminale di gate. N-channel si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che conducono la corrente nel dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET N-channel, diversi parametri chiave dovrebbero essere considerati, inclusi la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS) e la corrente di drain (ID). Questi parametri determinano la capacità di gestione della potenza e l'efficienza del MOSFET in un circuito. La resistenza allo stato acceso (RDSon) è anche un fattore importante, poiché influisce sulla perdita di potenza e sulla generazione di calore quando il MOSFET è in conduzione.
Le applicazioni dei MOSFET N-channel sono diverse, che vanno dalla gestione dell'alimentazione nei dispositivi portatili alla guida di motori in applicazioni industriali. Le loro capacità di commutazione rapida li rendono adatti per applicazioni di commutazione ad alta velocità, come nei convertitori di potenza e negli inverter.
Gli ingegneri dovrebbero anche considerare le caratteristiche termiche del MOSFET, inclusa la resistenza termica e la temperatura massima di giunzione, per garantire un funzionamento affidabile sotto varie condizioni operative. Le opzioni di pacchetto, come il pacchetto SOT23, offrono una soluzione compatta per applicazioni con limitazioni di spazio.