Il 2N7002K-T1-GE3 è un MOSFET a canale N di Vishay Siliconix, progettato per applicazioni di commutazione rapida. Opera a una tensione drain-source (VDS) di 60 V, con una corrente di drain massima (ID) di 0,3 A. Il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato on (RDS(on)) di 2 Ohm quando VGS è 10 V, contribuendo alla sua efficienza nel funzionamento del circuito. Inoltre, vanta una bassa tensione di soglia di 2 V (tipica) e una velocità di commutazione rapida di 25 ns, migliorando le sue prestazioni nei circuiti ad alta velocità.
Questo MOSFET è incapsulato in un compatto package SOT-23 (TO-236), rendendolo adatto per applicazioni con vincoli di spazio. Offre anche basse perdite in ingresso e uscita, bassa capacità di ingresso di 25pF ed è dotato di protezione ESD a 2000V, garantendo affidabilità in varie condizioni operative. Il 2N7002K-T1-GE3 è progettato per applicazioni che richiedono commutazione ad alta velocità e funzionamento a bassa tensione, rendendolo una scelta ideale per interfacce a livello logico diretto, driver, sistemi alimentati a batteria e relè a stato solido.
MOSFET
I MOSFET a canale N sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) ampiamente utilizzato nei circuiti elettronici per la commutazione e l'amplificazione dei segnali. Funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare la conduttività di un canale in un materiale semiconduttore. I MOSFET a canale N sono particolarmente noti per la loro alta efficienza e le capacità di commutazione rapida.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, è necessario considerare diversi parametri chiave, tra cui la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain continua (ID) e la resistenza in conduzione (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del dispositivo di gestire tensione e corrente in applicazioni specifiche. Inoltre, la velocità di commutazione, rappresentata dai tempi di accensione e spegnimento, è critica per le applicazioni che richiedono una commutazione rapida.
La tensione di soglia (VGS(th)) è un altro fattore importante, indicando la tensione minima gate-source richiesta per accendere il dispositivo. Tensioni di soglia più basse possono essere vantaggiose nelle applicazioni a bassa tensione. Le capacità di ingresso e uscita influenzano la velocità di commutazione e il consumo energetico durante gli eventi di commutazione.
I MOSFET a canale N sono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni, dalla gestione e conversione della potenza all'elaborazione del segnale e ai circuiti di commutazione ad alta velocità. La loro versatilità ed efficienza li rendono componenti essenziali nella moderna progettazione elettronica.