Il PMV37ENEA è un transistor a effetto di campo (FET) N-channel in modalità di arricchimento da 60 V che utilizza la tecnologia MOSFET a trincea per fornire alta efficienza e prestazioni. Confezionato in un compatto pacchetto plastico SMD SOT23 (TO-236AB), è progettato per una vasta gamma di applicazioni. Questo componente è caratterizzato dalla sua compatibilità a livello logico, consentendone l'azionamento diretto da circuiti logici senza IC driver aggiuntivi. Inoltre, supporta un intervallo di temperatura esteso fino a 175 °C, rendendolo adatto per ambienti ad alta temperatura.
Con protezione da scarica elettrostatica (ESD) che supera i 2 kV HBM (classe H2) e qualificazione secondo gli standard AEC-Q101, il PMV37ENEA è progettato per affidabilità e robustezza in applicazioni automobilistiche e altre applicazioni esigenti. La sua bassa resistenza allo stato on e l'alta efficienza lo rendono un'eccellente scelta per compiti di gestione della potenza, inclusa la guida di relè, la guida di linee ad alta velocità, l'interruzione di carico a basso lato e vari circuiti di commutazione.
Transistor
I MOSFET a canale N sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) ampiamente utilizzato nei circuiti elettronici per commutare e amplificare segnali. Operano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di drain e source. Canale N si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che conducono corrente nel dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drenaggio-sorgente (VDS), la tensione cancello-sorgente (VGS), la corrente di drenaggio (ID) e la resistenza allo stato attivo drenaggio-sorgente (RDSon). Questi parametri determinano l'idoneità del MOSFET per diverse applicazioni, inclusa la gestione dell'alimentazione, l'elaborazione del segnale e la commutazione ad alta frequenza.
La tecnologia MOSFET a trincea offre vantaggi in termini di minore resistenza in stato on e maggiore efficienza, rendendola adatta per applicazioni che richiedono alta densità di potenza e generazione minima di calore. La compatibilità a livello logico consente un'interfaccia diretta con microcontrollori o circuiti logici, semplificando la progettazione.
Oltre alle specifiche elettriche, fattori come il tipo di pacchetto, le caratteristiche termiche e le funzionalità di protezione (ad es., protezione ESD) sono anche importanti. Questi aspetti influenzano le prestazioni del MOSFET in applicazioni specifiche e la sua capacità di resistere a condizioni operative difficili.