2N7002L: MOSFET a canale N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Il 2N7002L è un MOSFET a canale N prodotto utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle di onsemi. Questo componente è progettato per offrire una bassa resistenza allo stato acceso garantendo al contempo prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci. È particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente, rendendolo una scelta versatile per vari circuiti elettronici.

Grazie a un design ad alta densità di celle, il 2N7002L raggiunge un basso RDS(on), rendendolo una scelta efficiente per compiti di gestione dell'alimentazione. La sua capacità di agire come un interruttore a piccolo segnale controllato dalla tensione aggiunge alla sua flessibilità nella progettazione dei circuiti. L'alta capacità di corrente di saturazione e la robustezza del componente lo rendono un'opzione affidabile per ambienti impegnativi.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione drain-to-source (VDSS): 60 V
  • Tensione gate-source (VGSS): ±20 V, Non-Ripetitiva (tp < 50 ms) ±40 V
  • Corrente massima di drain (ID): 200 mA Continua, 500 mA Pulsata
  • Dissipazione massima di potenza (PD): 400 mW, Derata sopra i 25°C
  • Resistenza termica, giunzione ad ambiente (RθJA): 625 °C/W
  • Tensione di soglia del gate (VGS(th)): 1 a 2.5 V
  • Resistenza on-state drain-source statica (RDS(on)): 1.2 a 7.5 Ω
  • Tensione on drain-source (VDS(on)): 0.6 a 3.75 V

2N7002L Scheda tecnica

2N7002L scheda tecnica (PDF)

2N7002L Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per 2N7002L, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Controllo di piccoli motori servo
  • Driver per gate di MOSFET di potenza
  • Varie applicazioni di commutazione

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET N-Channel come il 2N7002L sono componenti fondamentali nella progettazione elettronica, offrendo un mezzo per controllare efficientemente la distribuzione della potenza nei circuiti. Questi transistor operano consentendo il flusso di corrente tra i terminali drain e source quando viene applicata una tensione al terminale gate, rendendoli ideali per commutare e amplificare segnali.

Quando si seleziona un MOSFET N-Canale, le considerazioni importanti includono la tensione di drenaggio-sorgente, la tensione di cancello-sorgente, la corrente massima di drenaggio e le capacità di dissipazione di potenza. Anche le caratteristiche termiche sono cruciali, poiché influenzano l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo in diverse condizioni operative.

La bassa resistenza in stato di conduzione del 2N7002L è vantaggiosa per ridurre la perdita di potenza e migliorare l'efficienza nelle applicazioni. Il suo compatto pacchetto SOT-23 è adatto per progetti con limitazioni di spazio. Gli ingegneri dovrebbero considerare anche la velocità di commutazione, la carica del gate e le caratteristiche di capacità per garantire la compatibilità con i requisiti del loro circuito.

In sintesi, il 2N7002L offre un equilibrio tra prestazioni, affidabilità ed efficienza, rendendolo una scelta adatta per una vasta gamma di applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Comprendere le sue specifiche e come si allineano con i requisiti dell'applicazione prevista è fondamentale per fare una selezione informata.

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