2N7002L: MOSFET Canale N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Il 2N7002L è un MOSFET a canale N prodotto utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle di onsemi. Questo componente è progettato per offrire una bassa resistenza in stato on garantendo al contempo prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci. È particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente, rendendolo una scelta versatile per vari circuiti elettronici.

Caratterizzato da un design a celle ad alta densità, il 2N7002L raggiunge una bassa RDS(on), rendendolo una scelta efficiente per i compiti di gestione dell'alimentazione. La sua capacità di agire come un interruttore a piccolo segnale controllato in tensione aggiunge alla sua flessibilità nella progettazione dei circuiti. L'elevata capacità di corrente di saturazione del componente e la sua robustezza lo rendono un'opzione affidabile per ambienti esigenti.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDSS): 60 V
  • Tensione Gate-Source (VGSS): ±20 V, Non ripetitiva (tp < 50 ms) ±40 V
  • Corrente di Drain massima (ID): 200 mA Continua, 500 mA Pulsata
  • Dissipazione di potenza massima (PD): 400 mW, Declassata sopra i 25°C
  • Resistenza termica, giunzione-ambiente (RθJA): 625 °C/W
  • Tensione di soglia Gate (VGS(th)): da 1 a 2,5 V
  • Resistenza statica Drain-Source On (RDS(on)): da 1,2 a 7,5 Ω
  • Tensione Drain-Source On (VDS(on)): da 0,6 a 3,75 V

Datasheet 2N7002L

Datasheet 2N7002L (PDF)

2N7002L Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per 2N7002L, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Controllo piccoli servomotori
  • Driver gate MOSFET di potenza
  • Varie applicazioni di commutazione

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET a canale N come il 2N7002L sono componenti fondamentali nella progettazione elettronica, offrendo un mezzo per controllare in modo efficiente la distribuzione di potenza nei circuiti. Questi transistor funzionano permettendo alla corrente di fluire tra i terminali di drain e source quando viene applicata una tensione al terminale di gate, rendendoli ideali per la commutazione e l'amplificazione dei segnali.

Quando si seleziona un MOSFET a Canale N, considerazioni importanti includono la tensione drain-source, la tensione gate-source, la corrente di drain massima e le capacità di dissipazione di potenza. Le caratteristiche termiche sono anche cruciali, in quanto influenzano l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo in diverse condizioni operative.

La bassa resistenza in stato on del 2N7002L è vantaggiosa per ridurre la perdita di potenza e migliorare l'efficienza nelle applicazioni. Il suo package compatto SOT-23 è adatto per progetti con vincoli di spazio. Gli ingegneri dovrebbero anche considerare la velocità di commutazione, la carica del gate e le caratteristiche di capacità per garantire la compatibilità con i requisiti del loro circuito.

In sintesi, il 2N7002L offre un equilibrio di prestazioni, affidabilità ed efficienza, rendendolo una scelta adatta per una vasta gamma di applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Comprendere le sue specifiche e come si allineano con i requisiti dell'applicazione prevista è fondamentale per fare una selezione informata.

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