2N7002: MOSFET Canale N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Il 2N7002 è un MOSFET a canale N per piccoli segnali progettato e prodotto da onsemi. Utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle di onsemi, questo MOSFET è ingegnerizzato per fornire una bassa resistenza nello stato on mantenendo alte prestazioni di commutazione e affidabilità. È particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente, offrendo una soluzione efficiente per il pilotaggio del gate dei MOSFET di potenza e altre operazioni di commutazione.

Il componente è incapsulato in un package SOT-23, fornendo un ingombro compatto adatto a vari progetti elettronici. Il suo design mira ad applicazioni che richiedono una gestione e un controllo efficienti dell'alimentazione, come il controllo dei servomotori, dove le sue capacità di commutazione rapida e la robustezza sono vantaggiose. Il dispositivo è anche noto per la sua elevata capacità di corrente di saturazione, migliorando ulteriormente le sue prestazioni in applicazioni esigenti.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDSS): 60V
  • Tensione Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Corrente di Drain Continua (ID): 200mA
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 500mA
  • Dissipazione di Potenza (PD): 400mW
  • Resistenza Termica, Giunzione-Ambiente (RθJA): 625°C/W
  • Tensione di Soglia Gate (VGS(th)): da 1 a 2.5V
  • Resistenza Statica Drain-Source On (RDS(on)): da 1.2 a 7.5Ω
  • Intervallo di Temperatura Operativa e di Stoccaggio: da -55 a 150°C

Datasheet 2N7002

Datasheet 2N7002 (PDF)

2N7002 Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per 2N7002, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Gestione dell'alimentazione a bassa tensione
  • Controllo servomotori
  • Pilotaggio gate MOSFET di potenza
  • Applicazioni di commutazione generiche

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET a canale N sono componenti fondamentali nella progettazione elettronica, servendo come interruttori o amplificatori efficienti nei circuiti. Operano utilizzando un campo elettrico per controllare la conduttività di un 'canale', in questo caso, materiale semiconduttore di tipo N, consentendo o impedendo il flusso di corrente tra i terminali di drain e source. Il terminale di gate riceve la tensione di controllo.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, diversi fattori sono importanti: la tensione massima drain-source (VDSS), che indica la tensione massima che il MOSFET può bloccare; la corrente di drain (ID), che è la corrente massima che il dispositivo può condurre; e la tensione gate-source (VGSS), che è l'intervallo di tensione che il gate può gestire in sicurezza. Inoltre, la resistenza in stato on (RDS(on)) è cruciale in quanto influisce sulla perdita di potenza e sull'efficienza del MOSFET nel suo stato di conduzione.

Le applicazioni per i MOSFET a canale N sono vaste, spaziando dalla gestione e conversione dell'alimentazione al controllo motori e all'amplificazione del segnale. La loro capacità di commutare rapidamente e con alta efficienza li rende adatti sia per circuiti analogici che digitali. Gli ingegneri devono considerare i requisiti specifici della loro applicazione, inclusa la gestione della corrente necessaria, i livelli di tensione e la velocità di commutazione, per selezionare il MOSFET appropriato.

Inoltre, la gestione termica è una considerazione significativa a causa del calore generato durante il funzionamento. La resistenza termica e la temperatura massima di giunzione sono specifiche chiave che aiutano a garantire che il MOSFET operi entro limiti di temperatura sicuri, preservandone l'affidabilità e la longevità.

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