2N7002: MOSFET a canale N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Il 2N7002 è un MOSFET a piccolo segnale a canale N progettato e prodotto da onsemi. Utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle di onsemi, questo MOSFET è progettato per offrire una bassa resistenza in stato di conduzione mantenendo elevate prestazioni di commutazione e affidabilità. È particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente, offrendo una soluzione efficiente per la guida dei gate dei MOSFET di potenza e altre operazioni di commutazione.

Il componente è incapsulato in un pacchetto SOT-23, fornendo un'ingombro compatto adatto per vari progetti elettronici. Il suo design è mirato ad applicazioni che richiedono una gestione e controllo efficienti della potenza, come il controllo dei motori servo, dove le sue capacità di commutazione rapida e robustezza sono vantaggiose. Il dispositivo è noto anche per la sua alta capacità di corrente di saturazione, migliorando ulteriormente le sue prestazioni in applicazioni impegnative.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-to-Source (VDSS): 60V
  • Tensione Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Corrente Continua di Drain (ID): 200mA
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 500mA
  • Dissipazione di Potenza (PD): 400mW
  • Resistenza Termica, Giunzione ad Ambiente (RθJA): 625°C/W
  • Tensione di Soglia del Gate (VGS(th)): da 1 a 2,5V
  • Resistenza Statica Drain-Source On (RDS(on)): da 1,2 a 7,5Ω
  • Intervallo di Temperatura Operativa e di Stoccaggio: da -55 a 150°C

2N7002 Scheda tecnica

2N7002 scheda tecnica (PDF)

2N7002 Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per 2N7002, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Gestione della potenza a bassa tensione
  • Controllo di motori servo
  • Pilotaggio del gate di MOSFET di potenza
  • Applicazioni di commutazione generale

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET N-Channel sono componenti fondamentali nella progettazione elettronica, fungendo da interruttori o amplificatori efficienti nei circuiti. Operano utilizzando un campo elettrico per controllare la conduttività di un 'canale', in questo caso, materiale semiconduttore di tipo N, consentendo o impedendo il flusso di corrente tra i terminali di drain e source. Il terminale di gate riceve la tensione di controllo.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N, diversi fattori sono importanti: la tensione massima drain-to-source (VDSS), che indica la tensione massima che il MOSFET può bloccare; la corrente di drain (ID), che è la corrente massima che il dispositivo può condurre; e la tensione gate-source (VGSS), che è l'intervallo di tensione che il gate può gestire in sicurezza. Inoltre, la resistenza in stato di conduzione (RDS(on)) è cruciale poiché influisce sulla perdita di potenza e sull'efficienza del MOSFET nel suo stato di conduzione.

Le applicazioni per i MOSFET a canale N sono vaste, che vanno dalla gestione e conversione della potenza al controllo dei motori e all'amplificazione del segnale. La loro capacità di commutare rapidamente e con alta efficienza li rende adatti sia per circuiti analogici che digitali. Gli ingegneri devono considerare i requisiti specifici della loro applicazione, inclusa la corrente necessaria, i livelli di tensione e la velocità di commutazione, per selezionare il MOSFET appropriato.

Inoltre, la gestione termica è una considerazione significativa a causa del calore generato durante il funzionamento. La resistenza termica e la temperatura massima di giunzione sono specifiche chiave che aiutano a garantire che il MOSFET operi entro limiti di temperatura sicuri, preservando la sua affidabilità e longevità.

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