Il 2N7002LT3G è un MOSFET a canale N di onsemi, progettato per applicazioni di segnale piccolo e alloggiato in un compatto pacchetto SOT-23. Questo componente offre una tensione drain-source (VDSS) di 60V e una corrente massima di drain (ID) di 115mA, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni a bassa potenza. È caratterizzato dalla sua bassa resistenza allo stato acceso e capacità di commutazione ad alta velocità. Il dispositivo è qualificato AEC-Q101, rendendolo adatto per applicazioni automotive, ed è anche privo di Piombo, privo di Alogeni/BFR e conforme RoHS, riflettendo l'impegno di onsemi per la sostenibilità ambientale.
Il MOSFET presenta un RDS(on) massimo di 7.5Ω a 10V, indicando la sua efficienza nel condurre corrente con una minima perdita di potenza. Supporta anche una corrente di drain impulsiva (IDM) fino a 800mA, consentendo operazioni di corrente più elevate transitorie. Le caratteristiche termiche del dispositivo garantiscono un funzionamento affidabile, con una temperatura massima di giunzione di 150°C. Le sue caratteristiche dinamiche includono una capacità di ingresso (Ciss) di 50pF, rendendolo reattivo in applicazioni di commutazione ad alta velocità.
MOSFET
I MOSFET (Transistori ad Effetto di Campo Metallo-Ossido-Semiconduttore) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono caratterizzati dai loro terminali di gate, drain e source. I MOSFET a canale N, come il 2N7002LT3G, conducono corrente quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto al source, rendendoli adatti per una varietà di applicazioni di commutazione.
Quando si seleziona un MOSFET per una specifica applicazione, gli ingegneri considerano parametri come la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID), la tensione gate-source (VGS) e la resistenza statica drain-source in stato di conduzione (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire tensione e corrente, la sua efficienza e la sua idoneità per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Anche le caratteristiche termiche sono importanti, poiché influenzano l'affidabilità e la longevità del dispositivo in diverse condizioni operative.
I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti di gestione della potenza, nei sistemi di controllo dei motori e nella commutazione di carichi in vari dispositivi elettronici. La loro capacità di commutare rapidamente e con alta efficienza li rende preziosi nel ridurre il consumo di energia e la generazione di calore nei sistemi elettronici. Inoltre, la scelta tra MOSFET a canale N e a canale P dipende dai requisiti specifici del circuito, inclusa la direzione del flusso di corrente e il tipo di carico da pilotare.
In generale, la selezione di un MOSFET comporta un'analisi attenta delle sue caratteristiche elettriche, delle prestazioni termiche e dei requisiti specifici dell'applicazione. Affidabilità, efficienza e conformità agli standard ambientali sono anche considerazioni chiave nel processo di selezione.