Il 2N7002LT3G è un MOSFET a canale N di onsemi, progettato per applicazioni a piccolo segnale e alloggiato in un compatto package SOT-23. Questo componente offre una tensione drain-source (VDSS) di 60V e una corrente di drain massima (ID) di 115mA, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni a bassa potenza. È caratterizzato dalla sua bassa resistenza in stato on e dalle capacità di commutazione ad alta velocità. Il dispositivo è qualificato AEC-Q101, rendendolo adatto per applicazioni automobilistiche, ed è anche Pb-Free, Halogen Free/BFR Free e conforme RoHS, riflettendo l'impegno di onsemi per la sostenibilità ambientale.
Il MOSFET presenta una RDS(on) massima di 7.5Ω a 10V, indicando la sua efficienza nel condurre corrente con una perdita di potenza minima. Supporta anche una corrente di drain pulsata (IDM) fino a 800mA, consentendo operazioni transitorie a corrente più elevata. Le caratteristiche termiche del dispositivo garantiscono un funzionamento affidabile, con una temperatura massima di giunzione di 150°C. Le sue caratteristiche dinamiche includono una capacità di ingresso (Ciss) di 50pF, rendendolo reattivo nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità.
MOSFET
I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono caratterizzati dai terminali di gate, drain e source. I MOSFET a canale N, come il 2N7002LT3G, conducono corrente quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto al source, rendendoli adatti per una varietà di applicazioni di commutazione.
Quando si seleziona un MOSFET per un'applicazione specifica, gli ingegneri considerano parametri come la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID), la tensione gate-source (VGS) e la resistenza statica drain-source on-state (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire tensione e corrente, la sua efficienza e la sua idoneità per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Anche le caratteristiche termiche sono importanti, in quanto influenzano l'affidabilità e la longevità del dispositivo in diverse condizioni operative.
I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti di gestione dell'alimentazione, nei sistemi di controllo motori e nella commutazione di carichi in vari dispositivi elettronici. La loro capacità di commutare rapidamente e con alta efficienza li rende preziosi nel ridurre il consumo energetico e la generazione di calore nei sistemi elettronici. Inoltre, la scelta tra MOSFET a canale N e a canale P dipende dai requisiti specifici del circuito, inclusa la direzione del flusso di corrente e il tipo di carico da pilotare.
Complessivamente, la selezione di un MOSFET comporta un'analisi attenta delle sue caratteristiche elettriche, delle prestazioni termiche e dei requisiti specifici dell'applicazione. Affidabilità, efficienza e conformità agli standard ambientali sono anche considerazioni chiave nel processo di selezione.