2N7002K: MOSFET a canale N, 60V, 380mA, SOT-23, protetto da ESD
onsemi

Il 2N7002K è un MOSFET a canale N sviluppato da onsemi, caratterizzato da una tensione drain-source (VDSS) di 60V e una corrente di drain massima (ID) di 380mA. Questo componente è alloggiato in un compatto package SOT-23, rendendolo adatto per applicazioni con tecnologia a montaggio superficiale (SMT). Una delle caratteristiche chiave di questo MOSFET è la sua protezione ESD, che ne migliora l'affidabilità nelle applicazioni sensibili.

Progettato per l'uso in una varietà di circuiti, il 2N7002K eccelle in ruoli come interruttore di carico low-side, circuiti di level shift e convertitori DC-DC. È anche ben adatto per applicazioni portatili, inclusi fotocamere digitali, PDA, telefoni cellulari e altro. Il componente è qualificato AEC-Q101 e capace PPAP, indicando la sua idoneità per applicazioni automobilistiche e altri scenari che richiedono rigorosi standard di qualità e affidabilità.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDSS): 60V
  • Corrente Massima di Drain (ID): 380mA a 25°C
  • RDS(on): 1.6Ω a 10V, 2.5Ω a 4.5V
  • Tensione Gate-Source (VGS): ±20V
  • Corrente di Drain Pulsata (IDM): 5.0A
  • Dissipazione di Potenza: 420mW con pad da 1 pollice quadrato, 300mW con pad minimo
  • Intervallo di Temperatura di Giunzione Operativa e di Stoccaggio: -55°C a +150°C
  • Protezione ESD: 2000V

Datasheet 2N7002K

Datasheet 2N7002K (PDF)

2N7002K Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per 2N7002K, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Interruttore di carico low side
  • Circuiti di level shift
  • Convertitore DC-DC
  • Applicazioni portatili (es. fotocamere digitali, PDA, telefoni cellulari)

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET a canale N sono un componente critico nei circuiti elettronici, agendo come interruttori o amplificatori. Consentono il controllo su circuiti ad alta potenza con un segnale a bassa tensione, rendendoli indispensabili nella gestione dell'alimentazione, nell'elaborazione del segnale e nelle applicazioni di controllo. Quando si seleziona un MOSFET a canale N, considerazioni importanti includono la tensione drain-source (VDSS), la corrente di drain (ID), la RDS(on) e il tipo di package.

Il MOSFET 2N7002K di onsemi è notevole per il suo compatto package SOT-23 e la protezione ESD, offrendo una miscela di prestazioni e affidabilità. La sua bassa RDS(on) garantisce un funzionamento efficiente, mentre la protezione ESD ne migliora la durata in ambienti sensibili. Adatto sia per applicazioni automobilistiche che per dispositivi portatili, questo MOSFET è una scelta versatile per gli ingegneri.

Nella scelta di un MOSFET, gli ingegneri dovrebbero considerare anche le caratteristiche termiche e la dissipazione di potenza per garantire che il componente operi all'interno della sua area operativa sicura (SOA). Le caratteristiche termiche del 2N7002K lo rendono adatto per applicazioni in cui lo spazio è limitato e la gestione del calore è una preoccupazione.

Nel complesso, il 2N7002K rappresenta un'opzione affidabile, efficiente e versatile per un'ampia gamma di applicazioni, dai sistemi automobilistici all'elettronica portatile, rendendolo un componente prezioso nel kit di strumenti dell'ingegnere.

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