Il BSS138BK di Nexperia è un transistor ad effetto di campo (FET) in modalità di potenziamento di tipo N che utilizza la tecnologia Trench MOSFET per fornire alta efficienza e prestazioni in un compatto pacchetto di plastica per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Questo componente è progettato per la compatibilità a livello logico, con capacità di commutazione molto veloci e protezione da scariche elettrostatiche (ESD) fino a 1,5 kV, rendendolo adatto per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione ad alta velocità.
Le caratteristiche principali includono una tensione drain-source (VDS) di 60V, una tensione gate-source (VGS) di ±20V e una corrente di drain (ID) fino a 360mA a una temperatura ambiente di 25°C. Il BSS138BK mostra anche una bassa resistenza on-state drain-source (RDSon) di 1 a 1.6Ω a VGS = 10V e ID = 350mA, garantendo un funzionamento efficiente. Le sue caratteristiche termiche e il design robusto lo rendono affidabile per l'uso in varie applicazioni, inclusi driver per relè, interruttori di carico lato basso, driver di linea ad alta velocità e circuiti di commutazione.
Transistor
I MOSFET N-channel sono un tipo di transistor ad effetto di campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per commutare e amplificare segnali. Funzionano utilizzando una tensione di ingresso per controllare il flusso di corrente attraverso un canale. La designazione N-channel si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che si muovono attraverso il dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri considerano parametri come la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Questi parametri determinano la capacità del dispositivo di gestire in modo efficiente i livelli di tensione, corrente e potenza.
I MOSFET a canale N sono preferiti per la loro alta efficienza, velocità di commutazione rapide e la capacità di gestire correnti significative. Trovano applicazione in una varietà di circuiti, inclusi alimentatori, controllori di motori e interruttori elettronici. Considerazioni chiave nella scelta di un MOSFET a canale N includono i requisiti specifici dell'applicazione, la gestione termica e la necessità di funzionalità di protezione come la resistenza ESD.
Il BSS138BK esemplifica l'uso della tecnologia Trench MOSFET, che migliora le prestazioni riducendo la resistenza in stato attivo e migliorando le velocità di commutazione. Ciò lo rende adatto per applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza e capacità di commutazione rapide.