Il BSS138BK di Nexperia è un Transistor a Effetto di Campo (FET) a canale N in modalità di arricchimento che utilizza la tecnologia Trench MOSFET per fornire alta efficienza e prestazioni in un pacchetto plastico compatto SOT23 (TO-236AB) a montaggio superficiale (SMD). Questo componente è progettato per la compatibilità a livello logico, con capacità di commutazione molto rapide e protezione dalle scariche elettrostatiche (ESD) fino a 1.5 kV, rendendolo adatto a una vasta gamma di applicazioni di commutazione ad alta velocità.
Le caratteristiche principali includono una tensione drain-source (VDS) di 60V, tensione gate-source (VGS) di ±20V e una corrente di drain (ID) fino a 360mA a 25°C di temperatura ambiente. Il BSS138BK presenta anche una bassa resistenza on-state drain-source (RDSon) da 1 a 1,6Ω a VGS = 10V e ID = 350mA, garantendo un funzionamento efficiente. Le sue caratteristiche termiche e il design robusto lo rendono affidabile per l'uso in varie applicazioni, inclusi driver relè, interruttori di carico low-side, driver di linea ad alta velocità e circuiti di commutazione.
Transistor
I MOSFET a canale N sono un tipo di Transistor a Effetto di Campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per commutare e amplificare segnali. Funzionano utilizzando una tensione di ingresso per controllare il flusso di corrente attraverso un canale. La designazione a canale N si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che si muovono attraverso il dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri considerano parametri come la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Questi parametri determinano la capacità del dispositivo di gestire livelli di tensione, corrente e potenza in modo efficiente.
I MOSFET a canale N sono preferiti per la loro alta efficienza, velocità di commutazione elevate e capacità di pilotare correnti significative. Trovano applicazioni in una varietà di circuiti, inclusi alimentatori, controller per motori e interruttori elettronici. Le considerazioni chiave nella scelta di un MOSFET a canale N includono i requisiti specifici dell'applicazione, la gestione termica e la necessità di funzionalità di protezione come la resistenza ESD.
Il BSS138BK esemplifica l'uso della tecnologia Trench MOSFET, che migliora le prestazioni riducendo la resistenza in stato on e migliorando le velocità di commutazione. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza e capacità di commutazione rapida.