Il 2N7002BK di Nexperia è un transistor ad effetto di campo (FET) in modalità di potenziamento a canale N che utilizza la tecnologia Trench MOSFET. È confezionato in un compatto pacchetto plastico per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB), progettato per applicazioni a livello logico con capacità di commutazione molto rapide. Il componente è dotato di protezione ESD fino a 2 kV, garantendo prestazioni robuste in varie applicazioni.
Questo MOSFET è caratterizzato da una tensione drain-source (VDS) di 60 V e una corrente di drain (ID) di 350 mA a 25°C, con una tensione gate-source (VGS) di ±20 V. La resistenza on-state drain-source (RDSon) è specificata tra 1 e 1.6 Ω a una tensione gate-source di 10 V e una corrente di drain di 500 mA. Le sue caratteristiche termiche e parametri dinamici, inclusi la carica totale del gate e le capacitanze di ingresso/uscita, sono ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta velocità.
MOSFET
I MOSFET a canale N sono un tipo di transistor ad effetto di campo (FET) che sono prevalentemente utilizzati per commutare e amplificare segnali elettronici in vari tipi di dispositivi elettronici. Funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di sorgente e di scarico. Canale N si riferisce al tipo di portatori di carica (elettroni) che fluiscono attraverso il dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDS), la corrente di drain (ID), la tensione gate-source (VGS) e la resistenza drain-source in stato di conduzione (RDSon). Altri fattori importanti includono le capacità di dissipazione di potenza del dispositivo, la resistenza termica e eventuali caratteristiche protettive come la protezione ESD.
I MOSFET sono integrali nella progettazione di circuiti di alimentazione, circuiti di controllo del motore e come interruttori in vari dispositivi elettronici. La loro capacità di commutare rapidamente li rende adatti per applicazioni ad alta velocità e ad alta frequenza. La scelta del pacchetto (ad es., SOT23) è anche cruciale, influenzando la gestione termica e l'impronta complessiva del componente in un progetto di circuito.
In generale, la selezione di un MOSFET a canale N dovrebbe essere guidata dai requisiti specifici dell'applicazione, inclusi i livelli di tensione e corrente operativi, la velocità di commutazione, le considerazioni termiche e i vincoli di packaging.