Il 2N7002BK di Nexperia è un transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità di arricchimento che utilizza la tecnologia Trench MOSFET. È confezionato in un compatto package plastico SOT23 (TO-236AB) a montaggio superficiale (SMD), progettato per applicazioni a livello logico con capacità di commutazione molto veloci. Il componente è dotato di protezione ESD fino a 2 kV, garantendo prestazioni robuste in varie applicazioni.
Questo MOSFET è caratterizzato da una tensione drain-source (VDS) di 60 V e una corrente di drain (ID) di 350 mA a 25°C, con una tensione gate-source (VGS) di ±20 V. La resistenza on-state drain-source (RDSon) è specificata tra 1 e 1.6 Ω a una tensione gate-source di 10 V e una corrente di drain di 500 mA. Le sue caratteristiche termiche e i parametri dinamici, inclusa la carica totale del gate e la capacità di ingresso/uscita, sono ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta velocità.
MOSFET
I MOSFET a canale N sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) che vengono utilizzati prevalentemente per la commutazione e l'amplificazione di segnali elettronici in vari tipi di dispositivi elettronici. Funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di source e drain. Canale N si riferisce al tipo di portatore di carica (elettroni) che fluisce attraverso il dispositivo.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come tensione drain-source (VDS), corrente di drain (ID), tensione gate-source (VGS) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Altri fattori importanti includono le capacità di dissipazione di potenza del dispositivo, la resistenza termica e qualsiasi caratteristica protettiva come la protezione ESD.
I MOSFET sono integrali nella progettazione di circuiti di alimentazione, circuiti di controllo motori e come interruttori in vari dispositivi elettronici. La loro capacità di commutare rapidamente li rende adatti per applicazioni ad alta velocità e alta frequenza. La scelta del package (es. SOT23) è anch'essa cruciale, influenzando la gestione termica e l'ingombro complessivo del componente nella progettazione di un circuito.
Nel complesso, la selezione di un MOSFET a canale N dovrebbe essere guidata dai requisiti specifici dell'applicazione, inclusi i livelli di tensione e corrente operativa, la velocità di commutazione, le considerazioni termiche e i vincoli di packaging.