PMV90ENER: MOSFET a trincea a canale N da 30 V in pacchetto SOT23, compatibile con livelli logici, commutazione rapida

Nexperia

Il PMV90ENE di Nexperia è un MOSFET N-channel a trincea da 30 V, progettato per l'uso in una varietà di applicazioni che richiedono un controllo e una conversione efficienti della potenza. È incapsulato in un compatto pacchetto plastico per Dispositivo a Montaggio Superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB), utilizzando la tecnologia avanzata MOSFET a trincea per ottenere alte prestazioni in un piccolo ingombro.

Questo MOSFET è caratterizzato dalla sua compatibilità a livello logico, consentendogli di essere pilotato direttamente dai circuiti logici senza la necessità di componenti driver aggiuntivi. Presenta inoltre capacità di commutazione molto rapide, migliorando la sua idoneità per applicazioni ad alta velocità e ad alta frequenza. Il dispositivo include protezione da Scarica Elettrostatica (ESD) che supera i 2 kV HBM, proteggendolo dai danni causati da scariche statiche.

• Tensione Drain-Source (VDS): 30 V max
• Tensione Gate-Source (VGS): ±20 V
• Corrente di Drain (ID): 3.7 A max a VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
• Resistenza On-State Drain-Source (RDSon): 54 - 72 mΩ a VGS = 10 V, ID = 3 A
• Dissipazione Totale di Potenza (Ptot): 460 mW max a Tamb = 25 °C
• Temperatura del Giunto (Tj): -55 a 150 °C

• Driver di relè
• Driver di linea ad alta velocità
• Interruttore di carico lato basso
• Circuiti di commutazione

I MOSFET a trincea di tipo N sono un tipo di transistor ad effetto di campo (FET) che utilizzano una struttura a porta a trincea per ottenere una densità ed efficienza maggiori rispetto ai MOSFET planari tradizionali. Questi componenti sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di conversione e gestione della potenza grazie alla loro capacità di controllare efficacemente il flusso di potenza nei circuiti.

Quando si seleziona un MOSFET N-channel a trincea, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e le frequenze di commutazione in una data applicazione.

Inoltre, il tipo di package e le caratteristiche termiche sono considerazioni importanti. Il package SOT23 è popolare per le sue dimensioni compatte, rendendolo adatto per applicazioni con limitazioni di spazio. La gestione termica è cruciale per prevenire il surriscaldamento e garantire un funzionamento affidabile in varie condizioni.

Infine, funzionalità come la compatibilità con i livelli logici e la protezione ESD sono vantaggiose per semplificare la progettazione dei circuiti e migliorare la durabilità del componente.