Il PMV90ENE di Nexperia è un MOSFET Trench a canale N da 30 V, progettato per l'uso in una varietà di applicazioni che richiedono un controllo e una conversione efficienti della potenza. È incapsulato in un compatto package plastico SOT23 (TO-236AB) per montaggio superficiale (SMD), utilizzando la tecnologia avanzata Trench MOSFET per ottenere prestazioni elevate in un ingombro ridotto.
Questo MOSFET è caratterizzato dalla sua compatibilità a livello logico, che gli consente di essere pilotato direttamente da circuiti logici senza la necessità di componenti driver aggiuntivi. Presenta anche capacità di commutazione molto veloci, migliorando la sua idoneità per applicazioni ad alta velocità e alta frequenza. Il dispositivo include una protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) superiore a 2 kV HBM, salvaguardandolo dai danni causati dalle scariche statiche.
Transistor
I MOSFET a canale N Trench sono un tipo di transistor a effetto di campo (FET) che utilizzano una struttura di gate a trincea per ottenere una densità e un'efficienza più elevate rispetto ai tradizionali MOSFET planari. Questi componenti sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di conversione e gestione della potenza grazie alla loro capacità di controllare in modo efficiente il flusso di potenza nei circuiti.
Quando si seleziona un MOSFET Trench a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain (ID) e la resistenza on-state drain-source (RDSon). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza e le frequenze di commutazione richiesti in una data applicazione.
Inoltre, il tipo di pacchetto e le caratteristiche termiche sono considerazioni importanti. Il pacchetto SOT23 è popolare per le sue dimensioni compatte, rendendolo adatto per applicazioni con vincoli di spazio. La gestione termica è cruciale per prevenire il surriscaldamento e garantire un funzionamento affidabile in varie condizioni.
Infine, caratteristiche come la compatibilità a livello logico e la protezione ESD sono vantaggiose per semplificare la progettazione del circuito e migliorare la durata del componente.