BSS138BKVL: MOSFET Trench a canale N, 60V, 360mA, package SOT23
NXP Semiconductors

Il BSS138BKVL di NXP Semiconductors è un Transistor a Effetto di Campo (FET) a canale N in modalità enhancement che utilizza la tecnologia Trench MOSFET. È incapsulato in un piccolo package plastico SOT23 (TO-236AB) per montaggio superficiale (SMD), che fornisce un ingombro compatto per progetti in cui lo spazio è limitato. Questo componente è progettato per essere compatibile con i livelli logici, consentendo una facile integrazione nei circuiti digitali.

Le caratteristiche principali del BSS138BKVL includono capacità di commutazione molto rapide e protezione integrata contro le scariche elettrostatiche (ESD) fino a 1,5 kV, salvaguardando il dispositivo durante la manipolazione e il funzionamento. La tecnologia Trench MOSFET impiegata in questo componente offre caratteristiche prestazionali migliorate rispetto ai MOSFET tradizionali, come una minore resistenza in stato on e una carica di gate ridotta, che contribuiscono a una maggiore efficienza nelle applicazioni.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-Source (VDS): 60 V
  • Tensione Gate-Source (VGS): ±20 V
  • Corrente di Drain (ID): 360 mA a VGS = 10 V, Tamb = 25°C
  • Resistenza Drain-Source in stato On (RDSon): da 1 a 1,6 Ω a VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Dissipazione di potenza totale (Ptot): 350 mW a Tamb = 25°C
  • Temperatura di giunzione (Tj): da -55 a 150 °C

BSS138BKVL Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per BSS138BKVL, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Driver relè
  • Interruttore di carico low-side
  • Driver di linea ad alta velocità
  • Circuiti di commutazione

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET a canale N sono un tipo di Transistor a Effetto di Campo (FET) ampiamente utilizzati nei circuiti elettronici per scopi di commutazione e amplificazione. Funzionano utilizzando un campo elettrico per controllare il flusso di corrente tra i terminali di drain e source. Canale N si riferisce al tipo di portatore di carica (elettroni) che fluisce attraverso il dispositivo.

Quando si seleziona un MOSFET a canale N per un'applicazione specifica, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source, la tensione gate-source, la corrente di drain, la resistenza in stato on e la dissipazione di potenza. Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di tensione e corrente richiesti, nonché la sua efficienza e le prestazioni termiche.

I MOSFET a canale N sono comunemente usati in applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza, come alimentatori, controller motore e circuiti di commutazione. La loro capacità di commutare rapidamente tra stati on e off con una perdita di potenza minima li rende ideali per applicazioni ad alta velocità e alta efficienza. Inoltre, l'integrazione di funzionalità come la protezione ESD e la compatibilità a livello logico può semplificare la progettazione del circuito e migliorare l'affidabilità.

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