2N7002ET7G: MOSFET a canale N, 60V, 310mA, SOT-23, Bassa RDS(on)
onsemi

Il 2N7002ET7G è un MOSFET a canale N di onsemi, progettato per un'efficiente gestione dell'alimentazione e applicazioni di commutazione. Presenta una tensione drain-source (VDS) di 60V e una corrente di drain continua massima (ID) di 310mA, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni a bassa potenza. Questo componente utilizza la tecnologia trench per ottenere bassi valori di resistenza on (RDS(on)) di 2.5Ω a 10V e 3.0Ω a 4.5V, garantendo un funzionamento efficiente e una ridotta dissipazione di potenza.

Il suo compatto package SOT-23 è ottimizzato per la tecnologia a montaggio superficiale, consentendo layout PCB ad alta densità. Il 2N7002ET7G è qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP, indicando la sua affidabilità e idoneità per applicazioni automobilistiche. Inoltre, è privo di piombo, privo di alogeni/BFR e conforme a RoHS, rendendolo una scelta ecologica per i progetti elettronici.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-to-Source (VDS): 60 V
  • Corrente di Drain continua (ID): 310 mA
  • Resistenza in stato On (RDS(on)): 2,5 Ω a 10 V, 3,0 Ω a 4,5 V
  • Tensione Gate-to-Source (VGS): ±20 V
  • Dissipazione di potenza: 300 mW stato stazionario, 420 mW per <5 s
  • Intervallo di temperatura di giunzione operativa: da -55°C a +150°C
  • Package: SOT-23

Datasheet 2N7002ET7G

Datasheet 2N7002ET7G (PDF)

2N7002ET7G Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per 2N7002ET7G, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Interruttore di carico low side
  • Circuiti di traslazione di livello
  • Convertitori DC-DC
  • Applicazioni portatili (es. fotocamere digitali, PDA, telefoni cellulari)

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono un componente essenziale in una vasta gamma di dispositivi elettronici grazie alla loro alta efficienza e capacità di commutazione rapida. I MOSFET a canale N, come il 2N7002ET7G, sono tipicamente utilizzati in applicazioni in cui le correnti di carico devono essere controllate da una tensione applicata al terminale di gate.

Quando si seleziona un MOSFET per una particolare applicazione, è importante considerare diversi parametri, tra cui la tensione drain-source (VDS), la tensione gate-source (VGS), la corrente di drain continua (ID) e la resistenza in conduzione (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e la sua efficienza nel circuito.

Anche il tipo di pacchetto gioca un ruolo significativo nelle prestazioni del componente, in particolare in termini di gestione termica e ingombro sul PCB. Per applicazioni che richiedono un'elevata affidabilità, come quelle automobilistiche o industriali, è anche importante considerare la conformità del componente agli standard e alle qualifiche del settore.

Complessivamente, la scelta di un MOSFET avrà un impatto significativo sulle prestazioni, l'efficienza e l'affidabilità del dispositivo elettronico in cui viene utilizzato. Pertanto, una comprensione approfondita delle specifiche del componente e di come si allineano con i requisiti dell'applicazione è cruciale per una progettazione ottimale.

Indice di Popolarità PartsBox

  • Azienda: 1/10
  • Hobby: 0/10

Database Componenti Elettronici

Popular electronic components