2N7002ET7G: MOSFET N-Channel, 60V, 310mA, SOT-23, basso RDS(on)
onsemi

Il 2N7002ET7G è un MOSFET a canale N di onsemi, progettato per la gestione efficiente dell'energia e applicazioni di commutazione. Presenta una tensione drain-to-source (VDS) di 60V e una corrente di drain massima continua (ID) di 310mA, rendendolo adatto per una varietà di applicazioni a bassa potenza. Questo componente utilizza la tecnologia a trincea per ottenere valori di bassa resistenza allo stato acceso (RDS(on)) di 2.5Ω a 10V e 3.0Ω a 4.5V, garantendo un funzionamento efficiente e una ridotta dissipazione di potenza.

Il suo pacchetto compatto SOT-23 è ottimizzato per la tecnologia di montaggio superficiale, consentendo layout PCB ad alta densità. Il 2N7002ET7G è qualificato AEC-Q101 e capace PPAP, indicando la sua affidabilità e idoneità per applicazioni automobilistiche. Inoltre, è privo di Pb, privo di alogeni/BFR e conforme RoHS, rendendolo una scelta ecocompatibile per progetti elettronici.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Drain-to-Source (VDS): 60V
  • Corrente di Drain Continua (ID): 310mA
  • Resistenza On (RDS(on)): 2.5Ω a 10V, 3.0Ω a 4.5V
  • Tensione Gate-to-Source (VGS): ±20V
  • Dissipazione di Potenza: 300mW stato stazionario, 420mW per <5s
  • Intervallo di Temperatura di Funzionamento del Giunto: -55°C a +150°C
  • Pacchetto: SOT-23

2N7002ET7G Scheda tecnica

2N7002ET7G scheda tecnica (PDF)

2N7002ET7G Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per 2N7002ET7G, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Interruttore di carico lato basso
  • Circuiti di traslazione di livello
  • Convertitori DC-DC
  • Applicazioni portatili (ad es., fotocamere digitali, PDA, telefoni cellulari)

Categoria

MOSFET

Informazioni generali

I MOSFET (Transistori ad Effetto di Campo Metallo-Ossido-Semiconduttore) sono un tipo di transistore utilizzato per amplificare o commutare segnali elettronici. Sono un componente essenziale in una vasta gamma di dispositivi elettronici grazie alla loro alta efficienza e capacità di commutazione rapida. I MOSFET a canale N, come il 2N7002ET7G, sono tipicamente utilizzati in applicazioni dove le correnti di carico devono essere controllate da una tensione applicata al terminale di gate.

Quando si seleziona un MOSFET per una particolare applicazione, diversi parametri sono importanti da considerare, inclusi la tensione drain-to-source (VDS), la tensione gate-to-source (VGS), la corrente di drain continua (ID) e la resistenza in conduzione (RDS(on)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di potenza richiesti e la sua efficienza nel circuito.

Il tipo di pacchetto gioca anche un ruolo significativo nelle prestazioni del componente, in particolare in termini di gestione termica e impronta sul PCB. Per applicazioni che richiedono un'alta affidabilità, come quelle automotive o industriali, è importante considerare anche la conformità del componente agli standard e alle qualificazioni del settore.

In generale, la scelta di un MOSFET avrà un impatto significativo sulla prestazione, efficienza e affidabilità del dispositivo elettronico in cui è utilizzato. Pertanto, una comprensione approfondita delle specifiche del componente e di come si allineano con i requisiti dell'applicazione è cruciale per una progettazione ottimale.

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