De PMV90ENE van Nexperia is een 30 V, N-kanaal Trench MOSFET, ontworpen voor gebruik in diverse toepassingen die efficiënte vermogensregeling en -conversie vereisen. Hij is ingekapseld in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic behuizing, gebruikmakend van geavanceerde Trench MOSFET-technologie om hoge prestaties te leveren in een kleine footprint.
Deze MOSFET wordt gekenmerkt door zijn compatibiliteit met logische niveaus, waardoor hij direct kan worden aangestuurd door logische circuits zonder dat er extra drivercomponenten nodig zijn. Hij beschikt ook over zeer snelle schakelmogelijkheden, wat zijn geschiktheid voor hogesnelheids- en hoogfrequente toepassingen verbetert. Het apparaat bevat ElectroStatic Discharge (ESD) bescherming van meer dan 2 kV HBM, wat het beschermt tegen schade door statische ontladingen.
Transistor
N-kanaals Trench MOSFET's zijn een type veldeffecttransistor (FET) die gebruikmaken van een trench-gate-structuur om een hogere dichtheid en efficiëntie te bereiken in vergelijking met traditionele vlakke MOSFET's. Deze componenten worden veel gebruikt in stroomconversie- en beheertoepassingen vanwege hun vermogen om de stroomstroom in circuits efficiënt te regelen.
Bij het selecteren van een N-kanaals Trench MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met parameters zoals drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), drainstroom (ID) en drain-source aan-weerstand (RDSon). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus en schakelfrequenties in een bepaalde toepassing aan te kunnen.
Daarnaast zijn het type verpakking en de thermische eigenschappen belangrijke overwegingen. De SOT23-verpakking is populair vanwege zijn compacte formaat, waardoor het geschikt is voor toepassingen met beperkte ruimte. Thermisch beheer is cruciaal om oververhitting te voorkomen en een betrouwbare werking onder verschillende omstandigheden te garanderen.
Ten slotte zijn functies zoals compatibiliteit met logische niveaus en ESD-bescherming gunstig voor het vereenvoudigen van het circuitontwerp en het verbeteren van de duurzaamheid van de component.