PMV90ENER: 30 V, N-kanaal Trench MOSFET in SOT23 verpakking, Logica niveau compatibel, Snelle schakeling

Nexperia

De PMV90ENE van Nexperia is een 30 V, N-kanaal Trench MOSFET, ontworpen voor gebruik in een verscheidenheid aan toepassingen die efficiënte vermogensregeling en -omzetting vereisen. Het is ingekapseld in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic verpakking, waarbij geavanceerde Trench MOSFET-technologie wordt gebruikt om hoge prestaties te bereiken in een kleine voetafdruk.

Deze MOSFET wordt gekenmerkt door zijn compatibiliteit met logische niveaus, waardoor hij direct kan worden aangestuurd door logische circuits zonder de noodzaak voor extra drivercomponenten. Het beschikt ook over zeer snelle schakelmogelijkheden, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge snelheid en hoge frequentie. Het apparaat bevat ElectroStatic Discharge (ESD) bescherming die meer dan 2 kV HBM overschrijdt, waardoor het beschermd is tegen schade door statische ontladingen.

• Drain-Source Spanning (VDS): 30 V max
• Gate-Source Spanning (VGS): ±20 V
• Drainstroom (ID): 3.7 A max bij VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
• Drain-Source Weerstand in Ingeschakelde Toestand (RDSon): 54 - 72 mΩ bij VGS = 10 V, ID = 3 A
• Totale Vermogensdissipatie (Ptot): 460 mW max bij Tamb = 25 °C
• Junctietemperatuur (Tj): -55 tot 150 °C

• Relaisdriver
• Snelle lijndriver
• Laagzijdige belastingsschakelaar
• Schakelcircuits

N-kanaal Trench MOSFET's zijn een type Field-Effect Transistor (FET) die een trench gate structuur gebruiken om een hogere dichtheid en efficiëntie te bereiken in vergelijking met traditionele planaire MOSFET's. Deze componenten worden veel gebruikt in toepassingen voor vermogensconversie en -beheer vanwege hun vermogen om de stroomtoevoer in schakelingen efficiënt te regelen.

Bij het selecteren van een N-kanaal Trench MOSFET moeten ingenieurs parameters zoals drain-bronspanning (VDS), poort-bronspanning (VGS), drainstroom (ID) en drain-bron weerstand in geleidingstoestand (RDSon) overwegen. Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus en schakelfrequenties in een gegeven toepassing te hanteren.

Daarnaast zijn het pakkettype en de thermische eigenschappen belangrijke overwegingen. Het SOT23-pakket is populair vanwege zijn compacte formaat, waardoor het geschikt is voor toepassingen met beperkte ruimte. Thermisch beheer is cruciaal om oververhitting te voorkomen en betrouwbare werking onder verschillende omstandigheden te garanderen.

Tot slot zijn functies zoals compatibiliteit met logische niveaus en ESD-bescherming voordelig bij het vereenvoudigen van het circuitontwerp en het verbeteren van de duurzaamheid van het onderdeel.