2N7002L: N-Kanaal MOSFET, 60V, 200mA, SOT-23

onsemi

De 2N7002L is een N-kanaals MOSFET geproduceerd met behulp van onsemi's hoge celdichtheid, DMOS-technologie. Dit component is ontworpen om een lage aan-weerstand te bieden en tegelijkertijd robuuste, betrouwbare en snelle schakelprestaties te garanderen. Het is bijzonder geschikt voor laagspannings-, laagstroomtoepassingen, waardoor het een veelzijdige keuze is voor diverse elektronische circuits.

Dankzij een celontwerp met hoge dichtheid bereikt de 2N7002L een lage RDS(on), waardoor het een efficiënte keuze is voor energiebeheertaken. Zijn vermogen om te fungeren als een spanningsgestuurde kleinsignaalschakelaar draagt bij aan zijn flexibiliteit in circuitontwerp. De hoge verzadigingsstroomcapaciteit en robuustheid van het component maken het een betrouwbare optie voor veeleisende omgevingen.

• Drain-to-Source Spanning (VDSS): 60 V
• Gate-Source Spanning (VGSS): ±20 V, Niet-herhalend (tp < 50 ms) ±40 V
• Maximale Drainstroom (ID): 200 mA Continu, 500 mA Gepulseerd
• Maximale Vermogensdissipatie (PD): 400 mW, Derated boven 25°C
• Thermische Weerstand, Junctie naar Omgeving (RθJA): 625 °C/W
• Gate Drempelspanning (VGS(th)): 1 tot 2,5 V
• Statische Drain-Source Aan-Weerstand (RDS(on)): 1,2 tot 7,5 Ω
• Drain-Source Aan-Spanning (VDS(on)): 0,6 tot 3,75 V

• Kleine servomotorbesturing
• Power MOSFET gate-drivers
• Diverse schakeltoepassingen

N-kanaal MOSFET's zoals de 2N7002L zijn fundamentele componenten in elektronisch ontwerp en bieden een middel om de stroomverdeling in circuits efficiënt te regelen. Deze transistoren werken door stroom te laten vloeien tussen de drain- en source-aansluitingen wanneer een spanning op de gate-aansluiting wordt gezet, waardoor ze ideaal zijn voor het schakelen en versterken van signalen.

Bij het selecteren van een N-kanaals MOSFET zijn belangrijke overwegingen de drain-naar-source spanning, gate-source spanning, maximale drainstroom en vermogensdissipatiecapaciteiten. De thermische karakteristieken zijn ook cruciaal, omdat ze de betrouwbaarheid en prestaties van het apparaat onder verschillende bedrijfsomstandigheden beïnvloeden.

De lage aan-weerstand van de 2N7002L is gunstig voor het verminderen van vermogensverlies en het verbeteren van de efficiëntie in toepassingen. De compacte SOT-23 behuizing is geschikt voor ontwerpen met beperkte ruimte. Ingenieurs moeten ook rekening houden met de schakelsnelheid, gate charge en capaciteitskenmerken om compatibiliteit met de vereisten van hun circuit te garanderen.

Samenvattend biedt de 2N7002L een balans tussen prestaties, betrouwbaarheid en efficiëntie, waardoor het een geschikte keuze is voor een breed scala aan laagspannings-, laagstroomtoepassingen. Het begrijpen van de specificaties en hoe deze aansluiten bij de vereisten van de beoogde toepassing is essentieel voor het maken van een geïnformeerde keuze.