T2N7002BK,LM(T: N-kanaal MOSFET, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1,05Ω
Toshiba

De T2N7002BK is een silicium N-kanaal MOSFET ontworpen voor snelle schakeltoepassingen. Het kenmerkt zich door een lage drain-source weerstand (RDS(ON)) van 1.05 Ω (typisch) bij VGS = 10V, waardoor het geschikt is voor efficiënt energiebeheer in verschillende circuits. Het component is verpakt in een compacte SOT23-vorm, wat eenvoudige integratie in ruimtebeperkte ontwerpen mogelijk maakt.

Deze MOSFET ondersteunt een drain-source spanning (VDSS) van maximaal 60V en kan een continue drainstroom (ID) van maximaal 400mA aan, met een gepulseerde drainstroomcapaciteit tot 1200mA. Het bevat ook ESD-bescherming met een HBM-niveau van 2 kV, waardoor de betrouwbaarheid in gevoelige omgevingen wordt verhoogd. De T2N7002BK is geoptimaliseerd voor prestaties met een reeks poort-bronspanningen, waardoor veelzijdigheid in verschillende bedrijfsomstandigheden wordt getoond.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDSS): 60V
  • Gate-Source Spanning (VGSS): ±20V
  • Continue Drainstroom (ID): 400mA
  • Gepulseerde Drainstroom (IDP): 1200mA
  • Drain-Source Weerstand (RDS(ON)): 1.05 Ω (typ.) bij VGS = 10V
  • Vermogensverlies (PD): 320 mW tot 1000 mW
  • Kanaaltemperatuur (Tch): 150°C
  • ESD Bescherming: HBM niveau 2 kV

T2N7002BK,LM(T Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor T2N7002BK,LM(T, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Toepassingen met hoge schakelsnelheid

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

MOSFET's (Metaal-Oxide-Semiconductor Veld-Effecttransistors) zijn een fundamenteel component in elektronisch ontwerp, die hoge efficiëntie en betrouwbaarheid bieden voor schakel- en versterkingstaken. Ze werken door de geleidbaarheid tussen de drain- en bronaansluitingen te regelen met spanning, waardoor ze essentieel zijn voor energiebeheer, signaalverwerking en meer.

Bij het selecteren van een MOSFET zijn belangrijke parameters de drain-source spanning (VDSS), drainstroom (ID), poort-bronspanning (VGSS) en drain-source aan-weerstand (RDS(ON)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om hoge spanningen, stromen te hanteren en de efficiëntie ervan. Daarnaast zijn verpakking, thermisch beheer en ESD-beschermingsniveau belangrijke overwegingen.

Voor toepassingen met hoge schakelsnelheden wordt een MOSFET met een lage RDS(ON) geprefereerd om vermogensverlies en warmteontwikkeling te minimaliseren. De keuze van het bereik van de gate-source spanning (VGSS) beïnvloedt ook de compatibiliteit met aansturingscircuits. Bovendien is het begrijpen van de thermische kenmerken en het zorgen voor voldoende warmteafvoer cruciaal voor betrouwbare werking.

Samengevat, het kiezen van de juiste MOSFET vereist een zorgvuldige analyse van elektrische kenmerken, thermische eigenschappen en toepassingsvereisten. MOSFETs zoals de T2N7002BK, met zijn lage RDS(ON) en robuuste beschermingsfuncties, bieden een aantrekkelijke optie voor ingenieurs die hun ontwerpen willen optimaliseren voor prestaties en betrouwbaarheid.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 2/10
  • Hobby: 1/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components