2N7002K-T1-GE3: N-Channel 60V MOSFET, SOT-23, Lage RDS(on) 2 Ohm, Snel schakelend 25ns
Vishay

De 2N7002K-T1-GE3 is een N-kanaals MOSFET van Vishay Siliconix, ontworpen voor snelle schakeltoepassingen. Hij werkt bij een drain-source spanning (VDS) van 60V, met een maximale drainstroom (ID) van 0,3A. Het apparaat heeft een lage aan-weerstand (RDS(on)) van 2 Ohm wanneer VGS 10V is, wat bijdraagt aan de efficiëntie in circuitwerking. Bovendien beschikt hij over een lage drempelspanning van 2V (typisch) en een snelle schakelsnelheid van 25ns, wat de prestaties in hogesnelheidscircuits verbetert.

Deze MOSFET is ingekapseld in een compacte SOT-23 (TO-236) behuizing, waardoor hij geschikt is voor toepassingen met beperkte ruimte. Hij biedt ook lage ingangs- en uitgangslekstroom, een lage ingangscapaciteit van 25pF en is uitgerust met 2000V ESD-bescherming, wat betrouwbaarheid garandeert onder diverse bedrijfsomstandigheden. De 2N7002K-T1-GE3 is ontworpen voor toepassingen die hoge schakelsnelheden en werking op laagspanning vereisen, waardoor het een ideale keuze is voor directe logische niveau-interfaces, drivers, batterijgevoede systemen en solid-state relais.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDS): 60V
  • Gate-Source Spanning (VGS): ±20V
  • Continue Drain Stroom (ID) bij 25°C: 0.3A
  • Gepulseerde Drain Stroom (IDM): 0.8A
  • Vermogensdissipatie (PD) bij 25°C: 0.35W
  • Aan-Weerstand (RDS(on)) bij VGS = 10V: 2 Ohm
  • Gate Drempelspanning (VGS(th)): 1 - 2.5V
  • Ingangscapaciteit (Ciss): 30pF
  • Inschakeltijd (td(on)): 25ns
  • Uitschakeltijd (td(off)): 35ns

2N7002K-T1-GE3 Datasheet

2N7002K-T1-GE3 datasheet (PDF)

2N7002K-T1-GE3 Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor 2N7002K-T1-GE3, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Directe logische niveau-interface: TTL/CMOS
  • Drivers voor relais, solenoïden, lampen, hamers, displays, geheugens, transistoren
  • Batterijgevoede systemen
  • Solid-state relais

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

N-Channel MOSFETs zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veel wordt gebruikt in elektronische circuits voor het schakelen en versterken van signalen. Ze werken door een elektrisch veld te gebruiken om de geleidbaarheid van een kanaal in een halfgeleidermateriaal te regelen. N-Channel MOSFETs staan vooral bekend om hun hoge efficiëntie en snelle schakelmogelijkheden.

Bij het selecteren van een N-Channel MOSFET moeten verschillende belangrijke parameters worden overwogen, waaronder de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), continue drainstroom (ID) en aan-weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van het apparaat om spanning en stroom te verwerken in specifieke toepassingen. Daarnaast is de schakelsnelheid, weergegeven door de inschakel- en uitschakeltijden, cruciaal voor toepassingen die snel schakelen vereisen.

De drempelspanning (VGS(th)) is een andere belangrijke factor, die de minimale gate-source spanning aangeeft die nodig is om het apparaat in te schakelen. Lagere drempelspanningen kunnen voordelig zijn in laagspanningstoepassingen. Ingangs- en uitgangscapaciteiten beïnvloeden de schakelsnelheid en het stroomverbruik tijdens schakelgebeurtenissen.

N-kanaals MOSFET's worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van energiebeheer en -conversie tot signaalverwerking en snelle schakelcircuits. Hun veelzijdigheid en efficiëntie maken ze tot essentiële componenten in modern elektronisch ontwerp.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 2/10
  • Hobby: 2/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components