De 2N7002K-T1-GE3 is een N-kanaal MOSFET van Vishay Siliconix, ontworpen voor snelle schakeltoepassingen. Het werkt bij een drain-source spanning (VDS) van 60V, met een maximale drainstroom (ID) van 0.3A. Het apparaat kenmerkt zich door een lage weerstand in aan-toestand (RDS(on)) van 2 Ohm wanneer VGS 10V is, wat bijdraagt aan de efficiëntie in circuitwerking. Daarnaast beschikt het over een lage drempelspanning van 2V (typisch) en een snelle schakelsnelheid van 25ns, waardoor de prestaties in snelle circuits worden verbeterd.
Deze MOSFET is ingekapseld in een compacte SOT-23 (TO-236) behuizing, waardoor het geschikt is voor ruimtebeperkte toepassingen. Het biedt ook lage in- en uitgangslekken, lage ingangscapaciteit van 25pF, en is uitgerust met 2000V ESD-bescherming, wat betrouwbaarheid garandeert onder verschillende bedrijfsomstandigheden. De 2N7002K-T1-GE3 is ontworpen voor toepassingen die snelle schakeling en lage spanning vereisen, waardoor het een ideale keuze is voor directe logica-niveau interfaces, drivers, op batterijen werkende systemen en solid-state relais.
MOSFET
N-kanaal MOSFETs zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veel gebruikt worden in elektronische circuits voor het schakelen en versterken van signalen. Ze werken door een elektrisch veld te gebruiken om de geleidbaarheid van een kanaal in een halfgeleidermateriaal te regelen. N-kanaal MOSFETs staan vooral bekend om hun hoge efficiëntie en snelle schakelmogelijkheden.
Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten verschillende sleutelparameters worden overwogen, waaronder de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), continue drainstroom (ID) en de weerstand in ingeschakelde toestand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van het apparaat om spanning en stroom in specifieke toepassingen te hanteren. Daarnaast is de schakelsnelheid, vertegenwoordigd door de inschakel- en uitschakeltijden, cruciaal voor toepassingen die snelle schakeling vereisen.
De drempelspanning (VGS(th)) is een andere belangrijke factor, die de minimale gate-source spanning aangeeft die nodig is om het apparaat in te schakelen. Lagere drempelspanningen kunnen voordelig zijn in toepassingen met lage spanning. Invoer- en uitgangscapaciteiten beïnvloeden de schakelsnelheid en het energieverbruik tijdens schakelgebeurtenissen.
N-kanaal MOSFETs worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van vermogensbeheer en -omzetting tot signaalverwerking en snelle schakelcircuits. Hun veelzijdigheid en efficiëntie maken ze essentiële componenten in modern elektronisch ontwerp.