De BSS138BK van Nexperia is een N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) die Trench MOSFET-technologie gebruikt om hoge efficiëntie en prestaties te bieden in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic behuizing. Dit component is ontworpen voor compatibiliteit op logisch niveau, met zeer snelle schakelmogelijkheden en elektrostatische ontlading (ESD) bescherming tot 1,5 kV, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan snelle schakeltoepassingen.
Belangrijke kenmerken zijn onder meer een drain-sourcespanning (VDS) van 60V, gate-sourcespanning (VGS) van ±20V en een drainstroom (ID) van maximaal 360mA bij een omgevingstemperatuur van 25°C. De BSS138BK vertoont ook een lage drain-source aan-weerstand (RDSon) van 1 tot 1,6Ω bij VGS = 10V en ID = 350mA, wat zorgt voor een efficiënte werking. De thermische kenmerken en het robuuste ontwerp maken het betrouwbaar voor gebruik in diverse toepassingen, waaronder relaisdrivers, low-side load switches, high-speed lijndrivers en schakelcircuits.
Transistor
N-kanaal MOSFET's zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veel worden gebruikt in elektronische circuits voor het schakelen en versterken van signalen. Ze werken door een ingangsspanning te gebruiken om de stroom door een kanaal te regelen. De aanduiding N-kanaal verwijst naar het type ladingsdragers (elektronen) dat door het apparaat beweegt.
Bij het selecteren van een N-channel MOSFET houden ingenieurs rekening met parameters zoals de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), drainstroom (ID) en de drain-source aan-weerstand (RDSon). Deze parameters bepalen het vermogen van het apparaat om efficiënt om te gaan met spannings-, stroom- en vermogensniveaus.
N-kanaal MOSFET's zijn geliefd vanwege hun hoge efficiëntie, snelle schakelsnelheden en het vermogen om aanzienlijke stromen aan te sturen. Ze vinden toepassingen in een verscheidenheid aan circuits, waaronder voedingen, motorregelaars en elektronische schakelaars. Belangrijke overwegingen bij het kiezen van een N-kanaal MOSFET zijn de specifieke toepassingsvereisten, thermisch beheer en de noodzaak van beveiligingsfuncties zoals ESD-weerstand.
De BSS138BK illustreert het gebruik van Trench MOSFET-technologie, die de prestaties verbetert door de aan-weerstand te verminderen en de schakelsnelheden te verbeteren. Dit maakt het geschikt voor toepassingen die efficiënt energiebeheer en snelle schakelmogelijkheden vereisen.