De BSS138BK van Nexperia is een N-kanaal enhancement mode veld-effecttransistor (FET) die Trench MOSFET-technologie gebruikt om hoge efficiëntie en prestaties te bieden in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic verpakking. Dit component is ontworpen voor logica-niveau compatibiliteit, met zeer snelle schakelmogelijkheden en elektrostatische ontladingsbescherming tot 1,5 kV, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan snelle schakeltoepassingen.
Belangrijke kenmerken zijn onder andere een drain-source spanning (VDS) van 60V, gate-source spanning (VGS) van ±20V, en een drainstroom (ID) van maximaal 360mA bij een omgevingstemperatuur van 25°C. De BSS138BK vertoont ook een lage drain-source weerstand in geleidingstoestand (RDSon) van 1 tot 1,6Ω bij VGS = 10V en ID = 350mA, wat zorgt voor een efficiënte werking. De thermische eigenschappen en robuuste ontwerp maken het betrouwbaar voor gebruik in verschillende toepassingen, waaronder relaisstuurprogramma's, laagzijdige belastingsschakelaars, snelle lijnstuurprogramma's en schakelcircuits.
Transistor
N-kanaal MOSFET's zijn een type Field-Effect Transistor (FET) die veel worden gebruikt in elektronische schakelingen voor het schakelen en versterken van signalen. Ze werken door een ingangsspanning te gebruiken om de stroomstroom door een kanaal te regelen. De N-kanaal aanduiding verwijst naar het type ladingdragers (elektronen) die door het apparaat bewegen.
Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET, overwegen ingenieurs parameters zoals de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), drainstroom (ID) en de drain-source weerstand in geleidingstoestand (RDSon). Deze parameters bepalen het vermogen van het apparaat om spanning, stroom en vermogensniveaus efficiënt te hanteren.
N-kanaal MOSFET's worden gewaardeerd om hun hoge efficiëntie, snelle schakelsnelheden en het vermogen om aanzienlijke stromen te sturen. Ze vinden toepassingen in een verscheidenheid aan circuits, waaronder voedingen, motorcontrollers en elektronische schakelaars. Belangrijke overwegingen bij het kiezen van een N-kanaal MOSFET omvatten de specifieke toepassingsvereisten, thermisch beheer en de behoefte aan beschermingsfuncties zoals ESD-weerstand.
De BSS138BK illustreert het gebruik van Trench MOSFET-technologie, die de prestaties verbetert door de weerstand in ingeschakelde toestand te verminderen en de schakelsnelheden te verbeteren. Dit maakt het geschikt voor toepassingen die efficiënt energiebeheer en snelle schakelmogelijkheden vereisen.