IRLML2060TRPBF: HEXFET Vermogens-MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) max 480mΩ @ 10V
Infineon

De IRLML2060TRPBF is een HEXFET Power MOSFET ontworpen door Infineon voor efficiënt energiebeheer in elektronische schakelingen. Het werkt bij een drain-source spanning (VDS) van 60V en kan een continue drainstroom (ID) van 1.2A aan bij een gate-source spanning (VGS) van 10V. Het apparaat heeft een maximale statische drain-to-source weerstand (RDS(on)) van 480mΩ bij VGS = 10V, oplopend tot 640mΩ bij VGS = 4.5V, wat zorgt voor efficiënte werking met minimaal vermogensverlies.

Deze MOSFET is compatibel met bestaande oppervlaktemontagetechnieken, waardoor het eenvoudig te integreren is in verschillende ontwerpen. Het is ontworpen met een industriestandaard pinout, wat multi-leverancier compatibiliteit garandeert. De RoHS-conformiteit geeft aan dat het geen lood, broom of halogeen bevat, waardoor het een milieuvriendelijke keuze is voor vermogensschakeltoepassingen. De IRLML2060TRPBF is geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder belasting-/systeemschakelaars, vanwege zijn robuuste prestaties en betrouwbaarheid.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • VDS (Drain-Source Spanning): 60V
  • ID (Continue Drainstroom) @ TA = 25°C: 1.2A
  • RDS(on) (Statische Drain-tot-Source Weerstand) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Gate-tot-Source Spanning) Max: ±16V
  • PD (Maximale Vermogensdissipatie) @ TA = 25°C: 1.25W
  • TJ, TSTG (Junctie- en Opslagtemperatuurbereik): -55 tot +150°C

IRLML2060TRPBF Datasheet

IRLML2060TRPBF datasheet (PDF)

IRLML2060TRPBF Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor IRLML2060TRPBF, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Belasting/Systeemschakelaar

Categorie

Power MOSFET

Algemene informatie

Vermogens-MOSFET's zijn fundamentele componenten in elektronische circuits voor het regelen van de stroom van elektrisch vermogen. Ze werken als schakelaars of versterkers, en beheren efficiënt de stroomverdeling in een breed scala aan toepassingen, van consumentenelektronica tot industriële systemen. Bij het kiezen van een vermogens-MOSFET zijn belangrijke overwegingen de maximale drain-source spanning (VDS), de continue drainstroom (ID), de gate-source spanning (VGS) en de statische drain-to-source weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus met minimale verliezen te hanteren.

De IRLML2060TRPBF, ontworpen door Infineon, is een voorbeeld van een hoogwaardige Power MOSFET geschikt voor laad-/systeemschakeltoepassingen. Het beschikt over een lage weerstand in ingeschakelde toestand, wat zorgt voor efficiënt energiebeheer en minimale warmteontwikkeling. Ingenieurs moeten ook het pakkettype overwegen voor thermisch beheer en compatibiliteit met bestaande productieprocessen. Bovendien is naleving van milieuvoorschriften, zoals RoHS, cruciaal voor het garanderen van de geschiktheid van het component voor wereldwijde markten. Samenvattend, het selecteren van de juiste Power MOSFET houdt een evenwicht tussen prestaties, efficiëntie, thermisch beheer en naleving van milieuvoorschriften.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 2/10
  • Hobby: 2/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components