IRLML2060TRPBF: HEXFET Power MOSFET, 60V, 1,2A, RDS(on) max 480mΩ @ 10V
Infineon

De IRLML2060TRPBF is een HEXFET Power MOSFET ontworpen door Infineon voor efficiënt energiebeheer in elektronische circuits. Hij werkt op een drain-source spanning (VDS) van 60V en kan een continue drainstroom (ID) van 1,2A aan bij een gate-source spanning (VGS) van 10V. Het apparaat heeft een maximale statische drain-naar-source aan-weerstand (RDS(on)) van 480mΩ bij VGS = 10V, oplopend tot 640mΩ bij VGS = 4,5V, wat zorgt voor een efficiënte werking met minimaal vermogensverlies.

Deze MOSFET is compatibel met bestaande surface mount technieken, waardoor hij eenvoudig in diverse ontwerpen kan worden opgenomen. Hij is ontworpen met een industriestandaard pinout, wat zorgt voor compatibiliteit met meerdere leveranciers. De RoHS-naleving geeft aan dat hij geen lood, bromide of halogeen bevat, waardoor het een milieuvriendelijke keuze is voor stroomschakeltoepassingen. De IRLML2060TRPBF is geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder belasting-/systeemschakelaars, vanwege zijn robuuste prestaties en betrouwbaarheid.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • VDS (Drain-Source Voltage): 60V
  • ID (Continuous Drain Current) @ TA = 25°C: 1,2A
  • RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Gate-to-Source Voltage) Max: ±16V
  • PD (Maximum Power Dissipation) @ TA = 25°C: 1,25W
  • TJ, TSTG (Junction and Storage Temperature Range): -55 tot +150°C

IRLML2060TRPBF Datasheet

IRLML2060TRPBF datasheet (PDF)

IRLML2060TRPBF Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor IRLML2060TRPBF, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Belasting/Systeemschakelaar

Categorie

Vermogens-MOSFET

Algemene informatie

Power MOSFETs zijn fundamentele componenten in elektronische circuits voor het regelen van de stroom van elektrisch vermogen. Ze werken als schakelaars of versterkers en beheren efficiënt de stroomverdeling in een breed scala aan toepassingen, van consumentenelektronica tot industriële systemen. Bij het kiezen van een Power MOSFET zijn belangrijke overwegingen de maximale drain-source spanning (VDS), de continue drainstroom (ID), de gate-source spanning (VGS) en de statische drain-to-source aan-weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus met minimale verliezen te verwerken.

De IRLML2060TRPBF, ontworpen door Infineon, is een voorbeeld van een krachtige Power MOSFET die geschikt is voor toepassingen voor het schakelen van belastingen/systemen. Hij beschikt over een lage aan-weerstand, wat zorgt voor efficiënt energiebeheer en minimale warmteontwikkeling. Ingenieurs moeten ook rekening houden met het type behuizing voor thermisch beheer en compatibiliteit met bestaande productieprocessen. Bovendien is naleving van milieuregels, zoals RoHS, cruciaal om de geschiktheid van het component voor wereldwijde markten te garanderen. Kortom, het selecteren van de juiste Power MOSFET vereist een balans tussen prestaties, efficiëntie, thermisch beheer en naleving van milieunormen.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 3/10
  • Hobby: 2/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components