De 2N7002-7-F is een N-Kanaal Enhancement Mode MOSFET ontworpen om een lage aan-weerstand (RDS(ON)) te bieden met behoud van superieure schakelprestaties. Deze MOSFET heeft een maximale drain-source spanning (VDSS) van 60V, een continue drainstroom (ID) van 210mA en een maximale RDS(ON) van 7,5Ω bij een gate-source spanning (VGS) van 5V. Het ontwerp is geoptimaliseerd voor hoge efficiëntie in energiebeheertoepassingen, waarbij een lage gate-drempelspanning, lage ingangscapaciteit en hoge schakelsnelheid worden gecombineerd in een kleine surface mount SOT-23 behuizing.
Dit component is geschikt voor een reeks toepassingen, waaronder motorbesturing en energiebeheerfuncties, waarbij efficiënte stroomverwerking en betrouwbare prestaties belangrijk zijn. De 2N7002-7-F wordt vervaardigd door Diodes Inc. en voldoet volledig aan de RoHS-normen, waardoor het een geschikte keuze is voor milieubewuste toepassingen.
Transistor
N-kanaals Enhancement Mode MOSFET's worden veel gebruikt in elektronische circuits vanwege hun efficiëntie en betrouwbaarheid in schakeltoepassingen. Deze componenten werken door stroom te laten vloeien tussen de drain- en source-aansluitingen wanneer een voldoende spanning op de gate-aansluiting wordt aangelegd, waardoor ze effectief als schakelaar fungeren. De aanduiding N-kanaals verwijst naar het type ladingsdragers (elektronen) dat stroom door het apparaat geleidt.
Bij het selecteren van een N-kanaals MOSFET houden ingenieurs rekening met verschillende belangrijke parameters, waaronder de drain-source spanning (VDSS), drainstroom (ID) en statische drain-source aan-weerstand (RDS(ON)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de spannings- en stroomvereisten van de toepassing aan te kunnen, evenals de efficiëntie ervan. De gate-source spanning (VGSS) is ook belangrijk, omdat deze de spanning beïnvloedt die nodig is om het apparaat aan en uit te zetten.
In toepassingen die efficiënt energiebeheer en snel schakelen vereisen, zijn de lage RDS(ON) en de hoge schakelsnelheid van de MOSFET bijzonder waardevol. De kleine behuizingsgrootte, zoals de SOT-23, is ook voordelig voor ontwerpen met beperkte ruimte. Bovendien is naleving van milieunormen zoals RoHS vaak een overweging bij de selectie van componenten.
Over het algemeen zijn N-kanaal MOSFET's zoals de 2N7002-7-F essentieel voor een breed scala aan toepassingen, van motorbesturing tot energiebeheerfuncties, waar efficiënte en betrouwbare vermogensschakeling vereist is.