2N7002K-7: N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60V, 380mA, SOT23
Diodes Inc.

De 2N7002K-7 van Diodes Inc. is een N-kanaals Enhancement Mode MOSFET ontworpen voor efficiënt energiebeheer en motorbesturingstoepassingen. Hij wordt geleverd in een compacte SOT23 behuizing, waardoor hij geschikt is voor PCB-lay-outs met hoge dichtheid. Deze MOSFET wordt gekenmerkt door zijn lage aan-weerstand (RDS(ON)) en snelle schakelmogelijkheden, die cruciaal zijn voor het minimaliseren van vermogensverliezen en het verbeteren van de algehele systeemefficiëntie.

Met een maximale drain-source spanning (VDSS) van 60V en een continue drainstroom (ID) capaciteit tot 380mA bij 25°C, is de 2N7002K-7 zeer geschikt voor een breed scala aan toepassingen. Hij beschikt ook over lage ingangs- en uitgangslekstromen, wat zorgt voor minimale energieverspilling in de uit-stand. Het apparaat is ESD-beschermd tot 2kV, wat extra betrouwbaarheid en robuustheid biedt in ruwe omgevingen.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDSS): 60V
  • Continue Drainstroom (ID): 380mA bij 25°C
  • Statische Drain-Source Aan-Weerstand (RDS(ON)): 2Ω bij VGS = 10V
  • Gate-Source Spanning (VGSS): ±20V
  • Maximale Vermogensdissipatie (PD): 370mW
  • Bedrijfstemperatuurbereik: -55 tot +150°C
  • Behuizing: SOT23

2N7002K-7 Datasheet

2N7002K-7 datasheet (PDF)

2N7002K-7 Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor 2N7002K-7, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Motorbesturing
  • Energiebeheerfuncties
  • Achtergrondverlichting

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

N-kanaals Enhancement Mode MOSFET's zijn halfgeleiderapparaten die veel worden gebruikt in elektronische circuits voor schakel- en versterkingsdoeleinden. Deze componenten werken door gebruik te maken van een elektrisch veld om de geleidbaarheid van een kanaal in een halfgeleidermateriaal te regelen, waardoor de stroomstroom wordt toegestaan of geblokkeerd.

Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met verschillende belangrijke parameters zoals de drain-source spanning (VDSS), continue drainstroom (ID) en statische drain-source aan-weerstand (RDS(ON)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de spannings- en stroomniveaus in een bepaalde toepassing aan te kunnen, evenals de efficiëntie en thermische prestaties.

Daarnaast zijn de schakelsnelheid, ingangscapaciteit en verpakking ook belangrijke factoren. Snelle schakelsnelheden zijn wenselijk voor het verminderen van schakelverliezen, terwijl een lage ingangscapaciteit helpt bij het bereiken van hogere werkfrequenties. Het type behuizing beïnvloedt het thermisch beheer en de fysieke integratie van de MOSFET in het circuit.

N-kanaals MOSFET's worden vaak gebruikt in voedingscircuits, motorbesturingstoepassingen en als schakelelementen in diverse elektronische apparaten. Hun vermogen om hoge stromen en spanningen efficiënt te regelen en tegelijkertijd vermogensverliezen te minimaliseren, maakt ze essentiële componenten in modern elektronisch ontwerp.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 4/10
  • Hobby: 2/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components