De 2N7002LT1G van onsemi is een N-kanaal MOSFET ontworpen voor kleine signaalschakeltoepassingen. Gehuisvest in een compacte SOT-23 behuizing, ondersteunt deze MOSFET een drain-source spanning (VDSS) tot 60V en een continue drainstroom (ID) van 115mA bij 25°C. Hij beschikt over een lage aan-weerstand (RDS(on)) van 7,5 Ohm bij VGS = 10V, wat de efficiëntie in circuitwerking verbetert.
Het apparaat biedt ook robuuste thermische prestaties met een maximale junction-to-ambient thermische weerstand (RθJA) van 556 °C/W op een FR-5 bord. Voor toepassingen die een hogere thermische efficiëntie vereisen, toont de prestatie van het apparaat op een alumina-substraat een verbeterde RθJA van 417 °C/W. De 2N7002LT1G is ontworpen om gepulseerde drainstromen (IDM) tot 800mA aan te kunnen, wat flexibiliteit biedt voor een reeks ontwerpvereisten. De dynamische kenmerken omvatten ingangs-, uitgangs- en reverse transfer capaciteiten, wat nauwkeurige modellering in schakeltoepassingen vergemakkelijkt.
MOSFET
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) zijn een type transistor dat wordt gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze worden veel gebruikt in elektronische apparaten vanwege hun hoge ingangsimpedantie, die de stroomafname van de ingangsbron minimaliseert, en hun vermogen om op hoge snelheden te werken. N-channel MOSFETs, zoals de 2N7002LT1G, geleiden wanneer een positieve spanning wordt aangelegd op de gate ten opzichte van de source, waardoor ze geschikt zijn voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder energiebeheer, load switching en signaalversterking.
Bij het selecteren van een MOSFET voor een specifieke toepassing zijn belangrijke parameters om te overwegen de drain-source spanning (VDSS), drainstroom (ID), aan-weerstand (RDS(on)) en thermische karakteristieken. De VDSS-classificatie geeft de maximale spanning aan die de MOSFET kan blokkeren wanneer deze uit staat, terwijl de ID-classificatie de maximale stroom aangeeft die deze kan geleiden wanneer deze aan staat. De RDS(on)-waarde is cruciaal voor energie-efficiëntie, aangezien lagere waarden resulteren in minder vermogensdissipatie. Thermische karakteristieken, zoals junctie-naar-omgeving thermische weerstand (RθJA), zijn ook belangrijk om ervoor te zorgen dat het apparaat binnen veilige temperatuurlimieten werkt.
Naast deze parameters zijn de schakelkarakteristieken van de MOSFET, zoals inschakel- en uitschakeltijden, cruciaal voor toepassingen die hoge schakelsnelheden vereisen. De body-diode-karakteristieken, die het gedrag van de intrinsieke diode tussen de drain en source beschrijven, zijn relevant voor toepassingen met omgekeerde stroomsterkte. Over het algemeen moet de selectie van een MOSFET gebaseerd zijn op een uitgebreide evaluatie van zijn elektrische en thermische prestaties om te voldoen aan de specifieke vereisten van de beoogde toepassing.