De 2N7002BK van Nexperia is een N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) die gebruikmaakt van Trench MOSFET-technologie. Hij is verpakt in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic behuizing, ontworpen voor logische niveau-toepassingen met zeer snelle schakelmogelijkheden. Het component is uitgerust met ESD-bescherming tot 2 kV, wat zorgt voor robuuste prestaties in diverse toepassingen.
Deze MOSFET wordt gekenmerkt door een drain-source spanning (VDS) van 60 V en een drainstroom (ID) van 350 mA bij 25°C, met een gate-source spanning (VGS) van ±20 V. De drain-source aan-weerstand (RDSon) is gespecificeerd tussen 1 en 1,6 Ω bij een gate-source spanning van 10 V en een drainstroom van 500 mA. De thermische eigenschappen en dynamische parameters, waaronder de totale gate-lading en input/output capaciteit, zijn geoptimaliseerd voor snelle schakeltoepassingen.
MOSFET
N-kanaal MOSFET's zijn een type veldeffecttransistor (FET) die voornamelijk worden gebruikt voor het schakelen en versterken van elektronische signalen in verschillende soorten elektronische apparaten. Ze werken door een elektrisch veld te gebruiken om de stroomstroom tussen de source- en drain-aansluitingen te regelen. N-kanaal verwijst naar het type ladingsdrager (elektronen) dat door het apparaat stroomt.
Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met parameters zoals drain-source spanning (VDS), drainstroom (ID), gate-source spanning (VGS) en de drain-source aan-weerstand (RDSon). Andere belangrijke factoren zijn de vermogensdissipatiecapaciteiten van het apparaat, thermische weerstand en eventuele beschermende functies zoals ESD-bescherming.
MOSFET's zijn integraal onderdeel van het ontwerp van voedingscircuits, motorbesturingscircuits en als schakelaars in diverse elektronische apparaten. Hun vermogen om snel te schakelen maakt ze geschikt voor toepassingen met hoge snelheid en hoge frequentie. De keuze van de behuizing (bijv. SOT23) is ook cruciaal, omdat dit invloed heeft op het thermisch beheer en de totale footprint van de component in een circuitontwerp.
Over het algemeen moet de selectie van een N-kanaal MOSFET worden geleid door de specifieke vereisten van de toepassing, waaronder de bedrijfsspanning en stroomniveaus, schakelsnelheid, thermische overwegingen en verpakkingsbeperkingen.