PMV90ENE firmy Nexperia to 30-woltowy tranzystor MOSFET z kanałem typu N w technologii Trench, zaprojektowany do zastosowań wymagających wydajnego sterowania mocą i konwersji. Jest zamknięty w kompaktowej obudowie plastikowej SOT23 (TO-236AB) do montażu powierzchniowego (SMD), wykorzystując zaawansowaną technologię Trench MOSFET w celu osiągnięcia wysokiej wydajności przy niewielkich wymiarach.
Ten tranzystor MOSFET charakteryzuje się kompatybilnością z poziomami logicznymi, co pozwala na bezpośrednie sterowanie nim przez układy logiczne bez potrzeby stosowania dodatkowych elementów sterujących. Cechuje się również bardzo szybkimi możliwościami przełączania, co zwiększa jego przydatność w aplikacjach o dużej szybkości i wysokiej częstotliwości. Urządzenie zawiera ochronę przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) przekraczającą 2 kV HBM, chroniąc je przed uszkodzeniem w wyniku wyładowań statycznych.
Tranzystor
Tranzystory MOSFET z kanałem typu N w technologii Trench to rodzaj tranzystorów polowych (FET), które wykorzystują strukturę bramki rowkowej (trench), aby osiągnąć wyższą gęstość i sprawność w porównaniu z tradycyjnymi planarnymi tranzystorami MOSFET. Komponenty te są szeroko stosowane w aplikacjach konwersji i zarządzania energią ze względu na ich zdolność do efektywnego sterowania przepływem mocy w obwodach.
Wybierając tranzystor MOSFET N-kanałowy typu Trench, inżynierowie powinni wziąć pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDS), napięcie bramka-źródło (VGS), prąd drenu (ID) oraz rezystancję włączenia dren-źródło (RDSon). Parametry te określają zdolność tranzystora MOSFET do obsługi wymaganych poziomów mocy i częstotliwości przełączania w danym zastosowaniu.
Dodatkowo, typ obudowy i charakterystyka termiczna są ważnymi czynnikami. Obudowa SOT23 jest popularna ze względu na swój kompaktowy rozmiar, co czyni ją odpowiednią do zastosowań o ograniczonej przestrzeni. Zarządzanie termiczne jest kluczowe w zapobieganiu przegrzewaniu i zapewnieniu niezawodnego działania w różnych warunkach.
Wreszcie, funkcje takie jak kompatybilność z poziomem logicznym i ochrona ESD są korzystne w upraszczaniu projektowania obwodów i zwiększaniu trwałości komponentu.