PMV90ENE firmy Nexperia to tranzystor MOSFET typu N o napięciu 30 V, zaprojektowany do stosowania w różnorodnych aplikacjach wymagających efektywnej kontroli i konwersji mocy. Jest zamknięty w kompaktowej obudowie SOT23 (TO-236AB) typu Surface-Mounted Device (SMD), wykorzystując zaawansowaną technologię tranzystorów MOSFET z rowkami, aby osiągnąć wysoką wydajność na małej powierzchni.
Ten MOSFET charakteryzuje się kompatybilnością z poziomem logiki, co pozwala na bezpośrednie sterowanie go przez obwody logiczne bez potrzeby dodatkowych komponentów sterujących. Posiada również bardzo szybkie zdolności przełączania, zwiększając jego przydatność w aplikacjach wysokoprędkościowych i wysokoczęstotliwościowych. Urządzenie zawiera ochronę przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) przekraczającą 2 kV HBM, chroniąc je przed uszkodzeniami spowodowanymi przez wyładowania statyczne.
Tranzystor
Tranzystory N-Channel Trench MOSFET to rodzaj tranzystora polowego (FET) wykorzystującego strukturę bramki rowkowej, aby osiągnąć wyższą gęstość i wydajność w porównaniu z tradycyjnymi tranzystorami MOSFET płaskimi. Te komponenty są szeroko stosowane w aplikacjach do konwersji i zarządzania mocą ze względu na ich zdolność do efektywnego kontrolowania przepływu mocy w obwodach.
Przy wyborze tranzystora MOSFET typu N-kanałowego, inżynierowie powinni rozważyć parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDS), napięcie bramka-źródło (VGS), prąd drenu (ID) oraz oporność w stanie przewodzenia dren-źródło (RDSon). Te parametry określają zdolność MOSFET do obsługi wymaganych poziomów mocy i częstotliwości przełączania w danej aplikacji.
Dodatkowo, typ obudowy i charakterystyki termiczne są ważnymi czynnikami. Obudowa SOT23 jest popularna ze względu na swój kompaktowy rozmiar, co czyni ją odpowiednią do zastosowań o ograniczonej przestrzeni. Zarządzanie ciepłem jest kluczowe w zapobieganiu przegrzewaniu i zapewnieniu niezawodnej pracy w różnych warunkach.
Na koniec, cechy takie jak kompatybilność z poziomami logicznymi i ochrona ESD są korzystne w upraszczaniu projektowania obwodów i zwiększaniu trwałości komponentu.