2N7002K-T1-GE3 to tranzystor MOSFET z kanałem typu N firmy Vishay Siliconix, zaprojektowany do zastosowań wymagających szybkiego przełączania. Działa przy napięciu dren-źródło (VDS) wynoszącym 60V, z maksymalnym prądem drenu (ID) 0.3A. Urządzenie charakteryzuje się niską rezystancją włączenia (RDS(on)) wynoszącą 2 Ohm przy VGS równym 10V, co przyczynia się do jego wydajności w działaniu obwodu. Dodatkowo, może pochwalić się niskim napięciem progowym 2V (typowo) i szybkim czasem przełączania 25ns, co zwiększa jego wydajność w obwodach o dużej szybkości.
Ten tranzystor MOSFET jest zamknięty w kompaktowej obudowie SOT-23 (TO-236), co czyni go odpowiednim do zastosowań o ograniczonej przestrzeni. Oferuje również niski prąd upływu wejściowego i wyjściowego, niską pojemność wejściową wynoszącą 25pF oraz jest wyposażony w zabezpieczenie ESD do 2000V, zapewniając niezawodność w różnych warunkach pracy. 2N7002K-T1-GE3 jest przeznaczony do zastosowań wymagających szybkiego przełączania i pracy przy niskim napięciu, co czyni go idealnym wyborem do bezpośrednich interfejsów poziomu logicznego, sterowników, systemów zasilanych bateryjnie i przekaźników półprzewodnikowych.
MOSFET
Tranzystory MOSFET z kanałem N to rodzaj tranzystorów polowych (FET) szeroko stosowanych w obwodach elektronicznych do przełączania i wzmacniania sygnałów. Działają one poprzez wykorzystanie pola elektrycznego do sterowania przewodnością kanału w materiale półprzewodnikowym. Tranzystory MOSFET z kanałem N są szczególnie cenione za wysoką sprawność i szybkie możliwości przełączania.
Wybierając tranzystor MOSFET z kanałem typu N, należy wziąć pod uwagę kilka kluczowych parametrów, w tym napięcie dren-źródło (VDS), napięcie bramka-źródło (VGS), ciągły prąd drenu (ID) i rezystancję włączenia (RDS(on)). Parametry te określają zdolność urządzenia do obsługi napięcia i prądu w określonych zastosowaniach. Dodatkowo, szybkość przełączania, reprezentowana przez czasy włączania i wyłączania, jest krytyczna dla aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
Napięcie progowe (VGS(th)) to kolejny ważny czynnik, wskazujący minimalne napięcie bramka-źródło wymagane do włączenia urządzenia. Niższe napięcia progowe mogą być korzystne w aplikacjach niskonapięciowych. Pojemności wejściowe i wyjściowe wpływają na szybkość przełączania i zużycie energii podczas zdarzeń przełączania.
Tranzystory MOSFET z kanałem typu N są stosowane w szerokim zakresie aplikacji, od zarządzania i konwersji energii po przetwarzanie sygnałów i obwody przełączające o dużej szybkości. Ich wszechstronność i wydajność czynią je niezbędnymi komponentami w nowoczesnym projektowaniu elektronicznym.