BSS138BK firmy Nexperia to tranzystor polowy (FET) z kanałem typu N w trybie wzbogacania, który wykorzystuje technologię Trench MOSFET, aby zapewnić wysoką sprawność i wydajność w kompaktowej plastikowej obudowie SMD SOT23 (TO-236AB). Ten komponent został zaprojektowany pod kątem kompatybilności z poziomami logicznymi, charakteryzując się bardzo szybkimi możliwościami przełączania i ochroną przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) do 1.5 kV, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu zastosowań przełączania o dużej szybkości.
Kluczowe cechy obejmują napięcie dren-źródło (VDS) 60V, napięcie bramka-źródło (VGS) ±20V oraz prąd drenu (ID) do 360mA w temperaturze otoczenia 25°C. BSS138BK wykazuje również niską rezystancję włączenia dren-źródło (RDSon) od 1 do 1,6Ω przy VGS = 10V i ID = 350mA, zapewniając wydajną pracę. Jego charakterystyka termiczna i solidna konstrukcja sprawiają, że jest niezawodny w różnych zastosowaniach, w tym w sterownikach przekaźników, przełącznikach obciążenia po stronie niskiego napięcia, szybkich sterownikach linii i obwodach przełączających.
Tranzystor
MOSFET-y z kanałem typu N to rodzaj tranzystorów polowych (FET), które są szeroko stosowane w obwodach elektronicznych do przełączania i wzmacniania sygnałów. Działają one poprzez wykorzystanie napięcia wejściowego do sterowania przepływem prądu przez kanał. Oznaczenie kanału typu N odnosi się do rodzaju nośników ładunku (elektronów), które przemieszczają się przez urządzenie.
Wybierając tranzystor MOSFET z kanałem N, inżynierowie biorą pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDS), napięcie bramka-źródło (VGS), prąd drenu (ID) oraz rezystancję włączenia dren-źródło (RDSon). Parametry te określają zdolność urządzenia do efektywnego radzenia sobie z poziomami napięcia, prądu i mocy.
MOSFET-y z kanałem typu N są cenione za wysoką sprawność, szybkie prędkości przełączania i zdolność do sterowania znacznymi prądami. Znajdują zastosowanie w różnych obwodach, w tym w zasilaczach, sterownikach silników i przełącznikach elektronicznych. Kluczowe kwestie przy wyborze MOSFET-a z kanałem N obejmują specyficzne wymagania aplikacji, zarządzanie termiczne oraz potrzebę funkcji ochronnych, takich jak odporność na ESD.
BSS138BK jest przykładem zastosowania technologii Trench MOSFET, która zwiększa wydajność poprzez zmniejszenie rezystancji włączenia i poprawę szybkości przełączania. Sprawia to, że nadaje się do zastosowań wymagających wydajnego zarządzania energią i szybkich możliwości przełączania.