2N7002K: MOSFET z kanałem N, 60V, 380mA, SOT-23, zabezpieczony przed ESD
onsemi

2N7002K to tranzystor MOSFET z kanałem typu N opracowany przez onsemi, charakteryzujący się napięciem dren-źródło (VDSS) wynoszącym 60V i maksymalnym prądem drenu (ID) 380mA. Ten komponent jest umieszczony w kompaktowej obudowie SOT-23, co czyni go odpowiednim do zastosowań w technologii montażu powierzchniowego (SMT). Jedną z kluczowych cech tego tranzystora MOSFET jest ochrona ESD, zwiększająca jego niezawodność w wrażliwych aplikacjach.

Zaprojektowany do użytku w różnych obwodach, 2N7002K doskonale sprawdza się w rolach takich jak przełącznik obciążenia po stronie niskiego napięcia (low side), obwody przesuwania poziomów i przetwornice DC-DC. Jest również dobrze przystosowany do zastosowań przenośnych, w tym aparatów cyfrowych, PDA, telefonów komórkowych i innych. Komponent posiada kwalifikację AEC-Q101 i jest zgodny z PPAP, co wskazuje na jego przydatność do zastosowań motoryzacyjnych i innych scenariuszy wymagających rygorystycznych standardów jakości i niezawodności.

Kluczowe specyfikacje i funkcje

  • Napięcie dren-źródło (VDSS): 60 V
  • Maksymalny prąd drenu (ID): 380 mA przy 25°C
  • RDS(on): 1,6 Ω przy 10 V, 2,5 Ω przy 4,5 V
  • Napięcie bramka-źródło (VGS): ±20 V
  • Impulsowy prąd drenu (IDM): 5,0 A
  • Rozpraszanie mocy: 420 mW z polem 1 cal kw., 300 mW z minimalnym polem
  • Zakres temperatury złącza i przechowywania: -55°C do +150°C
  • Ochrona ESD: 2000 V

Arkusz danych 2N7002K

2N7002K karta katalogowa (PDF)

Zamienniki dla 2N7002K
Równoważne części alternatywne, które mogą służyć jako zamiennik dla 2N7002K, najpopularniejsze części jako pierwsze

Zastosowania

  • Przełącznik obciążenia po stronie niskiej (low side)
  • Obwody przesuwania poziomu
  • Przetwornica DC-DC
  • Zastosowania przenośne (np. aparaty cyfrowe, PDA, telefony komórkowe)

Kategoria

Tranzystory

Informacje ogólne

MOSFET-y z kanałem N są kluczowym elementem w obwodach elektronicznych, działając jako przełączniki lub wzmacniacze. Umożliwiają sterowanie obwodami dużej mocy za pomocą sygnału o niskim napięciu, co czyni je niezbędnymi w zarządzaniu energią, przetwarzaniu sygnałów i aplikacjach sterujących. Przy wyborze MOSFET-a z kanałem N ważnymi czynnikami są napięcie dren-źródło (VDSS), prąd drenu (ID), RDS(on) i typ obudowy.

MOSFET 2N7002K firmy onsemi wyróżnia się kompaktową obudową SOT-23 i ochroną ESD, oferując połączenie wydajności i niezawodności. Jego niska rezystancja RDS(on) zapewnia wydajną pracę, podczas gdy ochrona ESD zwiększa jego trwałość w wrażliwych środowiskach. Odpowiedni zarówno do zastosowań motoryzacyjnych, jak i urządzeń przenośnych, ten MOSFET jest wszechstronnym wyborem dla inżynierów.

Wybierając MOSFET, inżynierowie powinni również wziąć pod uwagę charakterystyki termiczne i rozpraszanie mocy, aby upewnić się, że komponent działa w swoim bezpiecznym obszarze pracy (SOA). Charakterystyki termiczne 2N7002K czynią go odpowiednim do zastosowań, w których przestrzeń jest ograniczona, a zarządzanie ciepłem jest istotne.

Ogólnie rzecz biorąc, 2N7002K stanowi niezawodną, wydajną i wszechstronną opcję dla szerokiego zakresu zastosowań, od systemów motoryzacyjnych po elektronikę przenośną, co czyni go cennym elementem w zestawie narzędzi inżyniera.

Indeks Popularności PartsBox

  • Biznes: 3/10
  • Hobby: 1/10

Baza danych komponentów elektronicznych

Popular electronic components