2N7002 to tranzystor MOSFET z kanałem N małej mocy, zaprojektowany i wyprodukowany przez onsemi. Wykorzystując technologię DMOS o wysokiej gęstości komórek onsemi, ten MOSFET został zaprojektowany tak, aby zapewnić niską rezystancję w stanie włączenia przy zachowaniu wysokiej wydajności przełączania i niezawodności. Jest szczególnie odpowiedni do zastosowań niskonapięciowych i niskoprądowych, oferując wydajne rozwiązanie do sterowania bramkami MOSFET mocy i innych operacji przełączania.
Komponent jest zamknięty w obudowie SOT-23, zapewniając kompaktowy rozmiar odpowiedni dla różnych projektów elektronicznych. Jego konstrukcja jest skierowana do aplikacji wymagających wydajnego zarządzania energią i sterowania, takich jak sterowanie serwomotorami, gdzie jego szybkie możliwości przełączania i wytrzymałość są korzystne. Urządzenie jest również znane z wysokiej zdolności prądu nasycenia, co dodatkowo zwiększa jego wydajność w wymagających aplikacjach.
Tranzystor
MOSFET-y z kanałem typu N są podstawowymi elementami w projektowaniu elektroniki, służącymi jako wydajne przełączniki lub wzmacniacze w obwodach. Działają one poprzez wykorzystanie pola elektrycznego do sterowania przewodnością „kanału”, w tym przypadku materiału półprzewodnikowego typu N, umożliwiając lub blokując przepływ prądu między drenem a źródłem. Bramka otrzymuje napięcie sterujące.
Przy wyborze tranzystora MOSFET z kanałem N ważnych jest kilka czynników: maksymalne napięcie dren-źródło (VDSS), które wskazuje maksymalne napięcie, jakie MOSFET może zablokować; prąd drenu (ID), który jest maksymalnym prądem, jaki urządzenie może przewodzić; oraz napięcie bramka-źródło (VGSS), czyli zakres napięcia, jaki bramka może bezpiecznie obsłużyć. Dodatkowo kluczowa jest rezystancja w stanie włączenia (RDS(on)), ponieważ wpływa ona na straty mocy i sprawność tranzystora w stanie przewodzenia.
Zastosowania tranzystorów MOSFET z kanałem typu N są ogromne, od zarządzania energią i konwersji po sterowanie silnikami i wzmacnianie sygnałów. Ich zdolność do szybkiego przełączania z wysoką wydajnością sprawia, że nadają się zarówno do obwodów analogowych, jak i cyfrowych. Inżynierowie muszą wziąć pod uwagę specyficzne wymagania swojej aplikacji, w tym potrzebną obsługę prądu, poziomy napięcia i prędkość przełączania, aby wybrać odpowiedni MOSFET.
Ponadto zarządzanie termiczne jest istotnym czynnikiem ze względu na ciepło generowane podczas pracy. Rezystancja termiczna i maksymalna temperatura złącza to kluczowe specyfikacje, które pomagają zapewnić, że MOSFET działa w bezpiecznych granicach temperatur, zachowując jego niezawodność i trwałość.