2N7002LT3G to tranzystor N-kanałowy MOSFET od onsemi, zaprojektowany do aplikacji sygnałowych i umieszczony w kompaktowej obudowie SOT-23. Ten komponent oferuje napięcie dren-źródło (VDSS) 60V i maksymalny prąd drenu (ID) 115mA, co czyni go odpowiednim do różnorodnych aplikacji niskomocowych. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia i szybkimi zdolnościami przełączania. Urządzenie jest kwalifikowane AEC-Q101, co czyni je odpowiednim do zastosowań motoryzacyjnych, a także jest wolne od ołowiu, wolne od halogenów/BFR i zgodne z RoHS, co odzwierciedla zaangażowanie onsemi w zrównoważony rozwój środowiskowy.
MOSFET cechuje się maksymalnym RDS(on) 7.5Ω przy 10V, wskazując na jego efektywność w przewodzeniu prądu z minimalną stratą mocy. Obsługuje również impulsowy prąd drenu (IDM) do 800mA, co pozwala na chwilowe operacje z wyższym prądem. Charakterystyki termiczne urządzenia zapewniają niezawodną pracę, z maksymalną temperaturą złącza 150°C. Jego charakterystyki dynamiczne obejmują pojemność wejściową (Ciss) 50pF, co czyni go responsywnym w aplikacjach szybkiego przełączania.
MOSFET
Tranzystory MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) to rodzaj tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Charakteryzują się one bramką, drenem i źródłem. Tranzystory MOSFET typu N-Channel, takie jak 2N7002LT3G, przewodzą prąd, gdy do bramki względem źródła zostanie przyłożone dodatnie napięcie, co czyni je odpowiednimi do różnorodnych zastosowań przełączających.
Podczas wyboru MOSFET do konkretnej aplikacji, inżynierowie biorą pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDSS), prąd drenu (ID), napięcie bramka-źródło (VGS) i statyczna rezystancja dren-źródło w stanie przewodzenia (RDS(on)). Te parametry określają zdolność MOSFET do obsługi napięcia i prądu, jego efektywność oraz przydatność do aplikacji szybkiego przełączania. Charakterystyki termiczne są również ważne, ponieważ wpływają na niezawodność i długowieczność urządzenia przy różnych warunkach pracy.
MOSFETy są szeroko stosowane w obwodach zarządzania mocą, systemach sterowania silnikami i w przełączaniu obciążeń w różnych urządzeniach elektronicznych. Ich zdolność do szybkiego przełączania i wysokiej efektywności czyni je cennymi w redukcji zużycia energii i generowania ciepła w systemach elektronicznych. Ponadto, wybór między MOSFETami typu N-Channel a P-Channel zależy od konkretnych wymagań obwodu, w tym kierunku przepływu prądu i typu napędzanego obciążenia.
Ogólnie, wybór MOSFETu wiąże się z dokładną analizą jego charakterystyk elektrycznych, wydajności termicznej i specyficznych wymagań aplikacji. Niezawodność, efektywność i zgodność ze standardami środowiskowymi są również kluczowymi czynnikami w procesie selekcji.