PMV37ENEA to 60-woltowy tranzystor polowy (FET) z kanałem typu N w trybie wzbogacania, który wykorzystuje technologię Trench MOSFET, aby zapewnić wysoką sprawność i wydajność. Zamknięty w kompaktowej plastikowej obudowie SOT23 (TO-236AB) do montażu powierzchniowego (SMD), jest przeznaczony do szerokiego zakresu zastosowań. Ten komponent charakteryzuje się kompatybilnością z poziomami logicznymi, co pozwala na bezpośrednie sterowanie nim przez układy logiczne bez dodatkowych układów scalonych sterowników. Ponadto obsługuje rozszerzony zakres temperatur do 175 °C, co czyni go odpowiednim do środowisk o wysokiej temperaturze.
Dzięki ochronie przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) przekraczającej 2 kV HBM (klasa H2) i kwalifikacji zgodnie ze standardami AEC-Q101, PMV37ENEA jest zaprojektowany pod kątem niezawodności i wytrzymałości w zastosowaniach motoryzacyjnych i innych wymagających aplikacjach. Jego niska rezystancja w stanie włączenia i wysoka sprawność czynią go doskonałym wyborem do zadań zarządzania energią, w tym sterowania przekaźnikami, szybkiego sterowania liniami, przełączania obciążenia po stronie niskiego napięcia (low-side) i różnych obwodów przełączających.
Tranzystor
MOSFETy z kanałem typu N to rodzaj tranzystora polowego (FET) szeroko stosowanego w obwodach elektronicznych do przełączania i wzmacniania sygnałów. Działają one poprzez wykorzystanie pola elektrycznego do sterowania przepływem prądu między drenem a źródłem. Kanał typu N odnosi się do rodzaju nośnika ładunku (elektronów), który przewodzi prąd w urządzeniu.
Wybierając tranzystor MOSFET z kanałem N, inżynierowie powinni wziąć pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDS), napięcie bramka-źródło (VGS), prąd drenu (ID) i rezystancja włączenia dren-źródło (RDSon). Parametry te określają przydatność tranzystora MOSFET do różnych zastosowań, w tym zarządzania energią, przetwarzania sygnałów i przełączania o wysokiej częstotliwości.
Technologia Trench MOSFET oferuje zalety w postaci niższej rezystancji w stanie włączenia i wyższej sprawności, co czyni ją odpowiednią do zastosowań wymagających dużej gęstości mocy i minimalnego generowania ciepła. Kompatybilność z poziomami logicznymi pozwala na bezpośrednie łączenie z mikrokontrolerami lub układami logicznymi, upraszczając projekt.
Oprócz specyfikacji elektrycznych, ważne są również czynniki takie jak typ obudowy, charakterystyka termiczna i funkcje ochronne (np. ochrona ESD). Te aspekty wpływają na wydajność MOSFET-a w konkretnych zastosowaniach i jego zdolność do wytrzymywania trudnych warunków pracy.