2N7002LT1G firmy onsemi to tranzystor MOSFET z kanałem N zaprojektowany do zastosowań przełączających małych sygnałów. Umieszczony w kompaktowej obudowie SOT-23, ten MOSFET obsługuje napięcie dren-źródło (VDSS) do 60V i ciągły prąd drenu (ID) 115mA przy 25°C. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie włączenia (RDS(on)) wynoszącą 7.5 Ohm przy VGS = 10V, co zwiększa jego wydajność w działaniu obwodu.
Urządzenie oferuje również solidną wydajność termiczną z maksymalną rezystancją termiczną złącze-otoczenie (RθJA) wynoszącą 556 °C/W na płytce FR-5. W przypadku zastosowań wymagających wyższej wydajności termicznej, wydajność urządzenia na podłożu z tlenku glinu wykazuje ulepszoną RθJA wynoszącą 417 °C/W. 2N7002LT1G jest zaprojektowany do obsługi impulsowych prądów drenu (IDM) do 800mA, zapewniając elastyczność dla szeregu wymagań projektowych. Jego charakterystyki dynamiczne obejmują pojemności wejściowe, wyjściowe i zwrotne, ułatwiając dokładne modelowanie w aplikacjach przełączających.
MOSFET
MOSFET-y (tranzystory polowe z tlenkiem metalu) to rodzaj tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Są szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych ze względu na wysoką impedancję wejściową, która minimalizuje pobór prądu ze źródła wejściowego, oraz zdolność do pracy z dużymi prędkościami. MOSFET-y z kanałem N, takie jak 2N7002LT1G, przewodzą, gdy do bramki przyłożone jest dodatnie napięcie względem źródła, co czyni je odpowiednimi do różnych zastosowań, w tym zarządzania energią, przełączania obciążeń i wzmacniania sygnałów.
Wybierając tranzystor MOSFET do konkretnego zastosowania, ważne parametry do rozważenia to napięcie dren-źródło (VDSS), prąd drenu (ID), rezystancja w stanie włączenia (RDS(on)) i charakterystyka termiczna. Wartość VDSS wskazuje maksymalne napięcie, jakie MOSFET może zablokować, gdy jest wyłączony, podczas gdy wartość ID podaje maksymalny prąd, jaki może przewodzić, gdy jest włączony. Wartość RDS(on) jest kluczowa dla efektywności energetycznej, ponieważ niższe wartości skutkują mniejszym rozpraszaniem mocy. Charakterystyka termiczna, taka jak rezystancja termiczna złącze-otoczenie (RθJA), jest również ważna dla zapewnienia, że urządzenie działa w bezpiecznych granicach temperatur.
Oprócz tych parametrów, charakterystyka przełączania tranzystora MOSFET, taka jak czasy włączania i wyłączania, jest kluczowa dla aplikacji wymagających dużych prędkości przełączania. Charakterystyka diody pasożytniczej (body-diode), opisująca zachowanie wewnętrznej diody między drenem a źródłem, jest istotna dla aplikacji obejmujących przepływ prądu wstecznego. Ogólnie rzecz biorąc, wybór tranzystora MOSFET powinien opierać się na kompleksowej ocenie jego wydajności elektrycznej i termicznej, aby spełnić specyficzne wymagania zamierzonego zastosowania.