2N7002ET7G: MOSFET typu N, 60V, 310mA, SOT-23, niska RDS(on)
onsemi

2N7002ET7G to tranzystor MOSFET typu N-Channel od onsemi, zaprojektowany do efektywnego zarządzania mocą i aplikacji przełączających. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło (VDS) 60V i maksymalnym ciągłym prądem drenu (ID) 310mA, co czyni go odpowiednim dla różnorodnych aplikacji niskomocowych. Ten komponent wykorzystuje technologię rowkową, aby osiągnąć niskie wartości oporności w stanie załączenia (RDS(on)) 2,5Ω przy 10V i 3,0Ω przy 4,5V, zapewniając efektywną pracę i zredukowane rozpraszanie mocy.

Jego kompaktowa obudowa SOT-23 jest zoptymalizowana pod kątem technologii montażu powierzchniowego, co pozwala na gęste układy PCB. 2N7002ET7G jest kwalifikowany AEC-Q101 i zdolny do PPAP, co wskazuje na jego niezawodność i przydatność w aplikacjach motoryzacyjnych. Dodatkowo, jest wolny od ołowiu, halogenów/BFR i zgodny z RoHS, co czyni go przyjaznym dla środowiska wyborem do projektów elektronicznych.

Kluczowe specyfikacje i funkcje

  • Napięcie dren-źródło (VDS): 60V
  • Stały prąd drenu (ID): 310mA
  • Oporność w stanie przewodzenia (RDS(on)): 2.5Ω przy 10V, 3.0Ω przy 4.5V
  • Napięcie bramka-źródło (VGS): ±20V
  • Dysypacja mocy: 300mW w stanie stałym, 420mW przez <5s
  • Zakres temperatur pracy złącza: -55°C do +150°C
  • Obudowa: SOT-23

2N7002ET7G Karta katalogowa

2N7002ET7G karta katalogowa (PDF)

2N7002ET7G Zamienniki
Równoważne alternatywne części, które mogą służyć jako zamiennik dla 2N7002ET7G, najpopularniejsze części na początku

Zastosowania

  • Przełącznik obciążenia niskiego boku
  • Obwody przesunięcia poziomu
  • Przetworniki DC-DC
  • Aplikacje przenośne (np. aparaty cyfrowe, PDA, telefony komórkowe)

Kategoria

MOSFET

Informacje ogólne

MOSFETy (tranzystory polowe z metalowym tlenkiem) są typem tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Są niezbędnym komponentem w szerokiej gamie urządzeń elektronicznych ze względu na ich wysoką efektywność i szybkie możliwości przełączania. N-kanałowe MOSFETy, takie jak 2N7002ET7G, są zwykle używane w aplikacjach, gdzie prądy obciążenia muszą być kontrolowane przez napięcie przyłożone do bramki.

Przy wyborze tranzystora MOSFET do konkretnej aplikacji, kilka parametrów jest ważnych do rozważenia, w tym napięcie dren-do-źródła (VDS), napięcie bramka-do-źródła (VGS), ciągły prąd drenu (ID) oraz oporność w stanie załączenia (RDS(on)). Te parametry określają zdolność MOSFET do obsługi wymaganych poziomów mocy oraz jego efektywność w obwodzie.

Typ obudowy odgrywa znaczącą rolę w wydajności komponentu, szczególnie pod względem zarządzania ciepłem i śladu na PCB. W aplikacjach wymagających wysokiej niezawodności, takich jak motoryzacyjne lub przemysłowe, ważne jest również rozważenie zgodności komponentu z normami branżowymi i kwalifikacjami.

Ogólnie rzecz biorąc, wybór tranzystora MOSFET znacząco wpływa na wydajność, efektywność i niezawodność urządzenia elektronicznego, w którym jest używany. Dlatego dokładne zrozumienie specyfikacji komponentu i ich zgodność z wymaganiami aplikacji jest kluczowe dla optymalnego projektowania.

Indeks Popularności PartsBox

  • Biznes: 0/10
  • Hobby: 0/10

Baza danych komponentów elektronicznych

Popular electronic components