SQ2364EES-T1_GE3: Automotive N-kanaal 60 V, 175 °C, SOT-23 MOSFET
Vishay

De SQ2364EES-T1_GE3 van Vishay is een N-kanaal MOSFET ontworpen voor auto-toepassingen, ingekapseld in een compacte SOT-23 behuizing. Dit component wordt gekenmerkt door zijn vermogen om te werken bij hoge temperaturen tot 175 °C, waardoor het geschikt is voor veeleisende omgevingen. Het is AEC-Q101 gekwalificeerd, wat zorgt voor betrouwbaarheid en prestaties van auto-kwaliteit. De MOSFET beschikt over TrenchFET® technologie, wat zorgt voor verbeterde efficiëntie en verminderde weerstand.

Belangrijke kenmerken zijn een drain-source spanning (VDS) van 60 V en een continue drainstroom (ID) van 2 A bij 25 °C, met de mogelijkheid om pulserende drainstromen tot 8 A te hanteren. Het biedt ook robuuste ESD-bescherming tot 800 V. De lage weerstand in geleiding (RDS(on)) bij verschillende gate-source spanningen benadrukt de efficiëntie in het geleiden van stroom. Daarnaast is het 100% Rg en UIS getest, wat consistente prestaties over alle eenheden garandeert.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-bronspanning (VDS): 60 V
  • Poort-bronspanning (VGS): ± 8 V
  • Continue drainstroom (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Gepulseerde drainstroom (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
  • Maximaal vermogensverlies @ 25 °C: 3 W
  • Werktemperatuurbereik van de junctie: -55 tot +175 °C
  • Verpakking: SOT-23

SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet

SQ2364EES-T1_GE3 datasheet (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor SQ2364EES-T1_GE3, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Auto-elektronica
  • Energiebeheersystemen
  • Toepassingen bij hoge temperaturen

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

MOSFETs (Metaal-Oxide-Semiconductor Veld-Effect Transistors) zijn een type transistor dat wordt gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze worden veel gebruikt in elektronische apparaten vanwege hun hoge efficiëntie, betrouwbaarheid en het vermogen om aanzienlijke vermogensniveaus te hanteren. N-kanaal MOSFETs worden met name geprefereerd vanwege hun hoge elektronenmobiliteit en gemak van integratie in verschillende circuits.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een specifieke toepassing moeten verschillende factoren worden overwogen, waaronder de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), continue drainstroom (ID) en de weerstand in ingeschakelde toestand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus te hanteren en de efficiëntie in het circuit. Het type behuizing speelt ook een cruciale rol in het thermisch beheer van het apparaat.

MOSFET's zijn essentieel in systemen voor vermogensconversie en -beheer, en bieden oplossingen voor efficiënte stroomverdeling. Ze zijn vooral waardevol in toepassingen die hoge schakelsnelheden, laag stroomverbruik en compacte afmetingen vereisen. Automotive toepassingen vereisen vaak MOSFET's die betrouwbaar kunnen werken onder zware omstandigheden, inclusief hoge temperaturen en spanningen.

De SQ2364EES-T1_GE3 MOSFET van Vishay, met zijn hoge temperatuurtolerantie en automotive kwalificatie, illustreert de vooruitgang in MOSFET-technologie, tegemoetkomend aan de strenge eisen van automotive elektronica en vermogensbeheersystemen.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 1/10
  • Hobby: 1/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components