SQ2364EES-T1_GE3: Automotive N-kanaal 60 V, 175 °C, SOT-23 MOSFET
Vishay

De SQ2364EES-T1_GE3 van Vishay is een N-kanaals MOSFET ontworpen voor automotive toepassingen, ingekapseld in een compacte SOT-23 behuizing. Dit component kenmerkt zich door zijn vermogen om te werken bij hoge temperaturen tot 175 °C, waardoor het geschikt is voor veeleisende omgevingen. Het is AEC-Q101 gekwalificeerd, wat zorgt voor betrouwbaarheid en prestaties van automotive-kwaliteit. De MOSFET beschikt over TrenchFET®-technologie, wat zorgt voor verbeterde efficiëntie en verminderde aan-weerstand.

Belangrijke kenmerken zijn onder meer een drain-source spanning (VDS) van 60 V en een continue drainstroom (ID) van 2 A bij 25 °C, met de mogelijkheid om gepulseerde drainstromen tot 8 A aan te kunnen. Het biedt ook robuuste ESD-bescherming tot 800 V. De lage aan-weerstand (RDS(on)) van het apparaat bij verschillende gate-source spanningen benadrukt de efficiëntie bij het geleiden van stroom. Bovendien is het 100% Rg en UIS getest, wat zorgt voor consistente prestaties over alle eenheden.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDS): 60 V
  • Gate-Source Spanning (VGS): ± 8 V
  • Continue Drain Stroom (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Gepulseerde Drain Stroom (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1,5 V: 0,245 Ω
  • Maximale Vermogensdissipatie @ 25 °C: 3 W
  • Bedrijfsjunctietemperatuurbereik: -55 tot +175 °C
  • Behuizing: SOT-23

SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet

SQ2364EES-T1_GE3 datasheet (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor SQ2364EES-T1_GE3, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Automotive elektronica
  • Energiebeheersystemen
  • Toepassingen bij hoge temperaturen

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

MOSFET's (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) zijn een type transistor dat wordt gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze worden veel gebruikt in elektronische apparaten vanwege hun hoge efficiëntie, betrouwbaarheid en het vermogen om aanzienlijke vermogensniveaus aan te kunnen. N-kanaal MOSFET's hebben in het bijzonder de voorkeur vanwege hun hoge elektronenmobiliteit en gemakkelijke integratie in diverse circuits.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een specifieke toepassing moeten verschillende factoren worden overwogen, waaronder de drain-source spanning (VDS), gate-source spanning (VGS), continue drain stroom (ID) en de aan-weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus aan te kunnen en zijn efficiëntie in het circuit. Het type behuizing speelt ook een cruciale rol in het thermisch beheer van het apparaat.

MOSFET's zijn integraal onderdeel van stroomconversie- en beheersystemen en bieden oplossingen voor efficiënte stroomdistributie. Ze zijn vooral waardevol in toepassingen die snel schakelen, een laag stroomverbruik en een compact formaat vereisen. Automotive toepassingen vereisen vaak MOSFET's die betrouwbaar kunnen werken onder zware omstandigheden, waaronder hoge temperaturen en spanningen.

De SQ2364EES-T1_GE3 MOSFET van Vishay, met zijn hoge temperatuurtolerantie en automotive kwalificatie, is een voorbeeld van de vooruitgang in MOSFET-technologie, die voldoet aan de strenge eisen van automotive elektronica en energiebeheersystemen.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 2/10
  • Hobby: 1/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components