PMV164ENEAR: 60 V, N-kanaal Trench MOSFET, SOT23-behuizing, Logic-level compatibel
Nexperia

De PMV164ENEAR is een N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) die gebruikmaakt van Trench MOSFET-technologie. Hij is ingekapseld in een compacte SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic behuizing, waardoor hij geschikt is voor een breed scala aan toepassingen waar ruimte schaars is. Dit component is ontworpen om op logische niveaus te werken, waardoor het compatibel is met moderne microcontroller-interfaces.

Belangrijke kenmerken van de PMV164ENEAR zijn onder meer een uitgebreid bedrijfstemperatuurbereik tot 175°C en ingebouwde bescherming tegen elektrostatische ontlading (ESD) van meer dan 2 kV HBM (klasse H2). Het is ook AEC-Q101 gekwalificeerd, wat aangeeft dat het geschikt is voor gebruik in automobieltoepassingen. Deze eigenschappen, gecombineerd met de lage aan-weerstand van het apparaat, maken het een efficiënte keuze voor energiebeheertaken.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-Source Voltage (VDS): 60 V
  • Gate-Source Voltage (VGS): ±20 V
  • Drain Current (ID): 1.6 A bij VGS = 10 V, 25°C
  • Drain-Source On-State Resistance (RDSon): 164 tot 218 mΩ bij VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°C
  • Total Power Dissipation (Ptot): 640 mW bij 25°C
  • Junction Temperature (Tj): -55 tot 175°C
  • ESD Protection: > 2 kV HBM

PMV164ENEAR Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor PMV164ENEAR, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Relaisdriver
  • High-speed lijndriver
  • Low-side belastingsschakelaar
  • Schakelcircuits

Categorie

Transistor

Algemene informatie

N-kanaal MOSFET's zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veelvuldig worden gebruikt in elektronische circuits voor schakel- en versterkingsdoeleinden. Ze werken door een elektrisch veld te gebruiken om de stroomstroom tussen de drain- en source-aansluitingen te regelen. De aanduiding N-kanaal verwijst naar het type ladingsdragers (elektronen) dat door het kanaal beweegt dat gevormd wordt tussen de source en drain.

Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET zijn belangrijke overwegingen de maximale drain-source spanning (VDS), de maximale stroom die het aankan (ID), de gate-source spanning (VGS) en de drain-source aan-weerstand (RDSon). Deze parameters bepalen de geschiktheid van het apparaat voor specifieke toepassingen, inclusief de efficiëntie en vermogensverwerkingscapaciteiten.

MOSFET's zijn integraal onderdeel van moderne elektronica en vinden toepassingen in stroomconversie, motorbesturing en als sleutelcomponenten in verschillende soorten elektronische schakelaars. Hun vermogen om snel en met hoge efficiëntie te schakelen maakt ze bijzonder waardevol in energiebeheer en digitale circuits.

Voor ingenieurs omvat het kiezen van de juiste MOSFET het begrijpen van de specifieke vereisten van hun toepassing, inclusief de gebruiksomgeving, vermogensniveaus en schakelsnelheden. De verpakking, thermische kenmerken en eventuele extra functies zoals ingebouwde beveiligingsmechanismen van het apparaat kunnen ook het selectieproces beïnvloeden.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 1/10
  • Hobby: 1/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components