2N7002MTF: N-Kanaal MOSFET, 60V, 5,0Ω, 115mA, SOT-23
onsemi

De 2N7002MTF is een N-kanaals MOSFET ontworpen voor kleinsignaaltoepassingen, ingekapseld in een compacte SOT-23 behuizing. Dit component wordt gekenmerkt door zijn drain-to-source spanning (BVDSS) van 60V, aan-weerstand (RDS(on)) van 5,0Ω en een continue drainstroom (ID) van 115mA bij 25°C. Het ontwerp richt zich op het verbeteren van de prestaties door lagere RDS(on), verbeterde inductieve robuustheid, snelle schakeltijden en verminderde ingangscapaciteit.

Belangrijke kenmerken zijn onder meer een uitgebreid veilig werkgebied (SOA) en verbeterde betrouwbaarheid bij hoge temperaturen, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan toepassingen. Het apparaat beschikt ook over snelle schakelmogelijkheden en een lage vermogensdissipatie, wat bijdraagt aan de efficiëntie in verschillende circuitconfiguraties. Het robuuste ontwerp en de elektrische kenmerken van de 2N7002MTF MOSFET maken het een ideale keuze voor ingenieurs die hun kleinsignaal-schakeltoepassingen willen optimaliseren.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-naar-Source Spanning (BVDSS): 60V
  • Aan-weerstand (RDS(on)): 5,0Ω
  • Continue Drainstroom (ID) bij 25°C: 115mA
  • Gate-naar-Source Spanning (VGS): ±20V
  • Totaal Vermogensverlies bij 25°C: 0,2W
  • Bedrijfs- en Opslagtemperatuurbereik: -55 tot +150°C
  • Thermische Weerstand, Junction-naar-Omgeving: 625℃/W

2N7002MTF Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor 2N7002MTF, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • Schakeltoepassingen
  • Energiebeheer
  • Signaalverwerking

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) zijn een type transistor dat wordt gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze zijn sleutelcomponenten in een breed scala aan elektronische apparaten vanwege hun hoge efficiëntie en snelle schakelmogelijkheden. Met name N-Channel MOSFET's worden veel gebruikt in stroomconversie- en beheertoepassingen vanwege hun vermogen om efficiënt hoge stromen en spanningen te verwerken.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een specifieke toepassing moeten ingenieurs rekening houden met factoren zoals de drain-to-source spanning (BVDSS), on-state weerstand (RDS(on)) en de continue drain-stroom (ID). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om elektriciteit te geleiden en de efficiëntie in een circuit. Daarnaast zijn het pakkettype en de thermische kenmerken belangrijk om ervoor te zorgen dat het component betrouwbaar kan werken onder wisselende omgevingsomstandigheden.

MOSFETs zijn integraal bij het ontwerpen van energiezuinige voedingen, motorbesturingen en invertercircuits. Hun snelle schakeltijden en lage vermogensdissipatie maken ze geschikt voor hoogfrequente toepassingen. Echter, goed thermisch beheer en ontwerp van het aanstuurcircuit zijn cruciaal om schade te voorkomen en een lange levensduur te garanderen.

Over het algemeen moet de keuze van een MOSFET aansluiten bij de spannings-, stroom- en thermische vereisten van de toepassing. Inzicht in de belangrijkste specificaties en hoe deze de prestaties beïnvloeden, helpt bij het selecteren van het meest geschikte onderdeel voor een bepaald ontwerp.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 1/10
  • Hobby: 1/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components