2N7002LT3G: N-kanaal MOSFET, SOT-23, 60V, 115mA, loodvrij
onsemi

De 2N7002LT3G is een N-kanaal MOSFET van onsemi, ontworpen voor kleine signaaltoepassingen en gehuisvest in een compacte SOT-23 verpakking. Dit component biedt een drain-source spanning (VDSS) van 60V en een maximale drainstroom (ID) van 115mA, waardoor het geschikt is voor een verscheidenheid aan laagvermogen toepassingen. Het wordt gekenmerkt door zijn lage aan-weerstand en snelle schakelmogelijkheden. Het apparaat is AEC-Q101 gekwalificeerd, waardoor het geschikt is voor automotive toepassingen, en het is ook Pb-vrij, Halogeenvrij/BFR-vrij en RoHS-compliant, wat de toewijding van onsemi aan milieuduurzaamheid weerspiegelt.

De MOSFET heeft een maximale RDS(on) van 7.5Ω bij 10V, wat zijn efficiëntie aangeeft in het geleiden van stroom met minimaal vermogensverlies. Het ondersteunt ook een gepulseerde afvoerstroom (IDM) van maximaal 800mA, waardoor tijdelijke hogere stroomoperaties mogelijk zijn. De thermische eigenschappen van het apparaat zorgen voor betrouwbare werking, met een maximale junctietemperatuur van 150°C. Zijn dynamische eigenschappen omvatten een ingangscapaciteit (Ciss) van 50pF, waardoor het responsief is in snelle schakeltoepassingen.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-bronspanning (VDSS): 60V
  • Drainstroom (ID): 115mA
  • Gepulseerde drainstroom (IDM): 800mA
  • Poort-bronspanning (VGS): ±20V
  • Statische drain-bron aan-weerstand (RDS(on)): 7,5Ω bij 10V
  • Thermische weerstand, junctie-naar-omgeving (RθJA): 556°C/W
  • Ingangscapaciteit (Ciss): 50pF
  • Bedrijfstemperatuurbereik: -55°C tot +150°C

2N7002LT3G Datasheet

2N7002LT3G datasheet (PDF)

2N7002LT3G Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor 2N7002LT3G, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Laagvermogen schakeltoepassingen
  • Draagbare apparaten
  • Automotive toepassingen
  • Energiebeheercircuits

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

MOSFETs (Metaal-Oxide-Semiconductor Veld-Effect Transistors) zijn een type transistor gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze worden gekenmerkt door hun gate, drain en source terminals. N-kanaal MOSFETs, zoals de 2N7002LT3G, geleiden stroom wanneer een positieve spanning wordt toegepast op de gate ten opzichte van de source, waardoor ze geschikt zijn voor een verscheidenheid aan schakeltoepassingen.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een specifieke toepassing, overwegen ingenieurs parameters zoals drain-source spanning (VDSS), drainstroom (ID), gate-source spanning (VGS) en statische drain-source weerstand in geleidingstoestand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om spanning en stroom te hanteren, de efficiëntie en de geschiktheid voor snelle schakeltoepassingen. Thermische kenmerken zijn ook belangrijk, aangezien ze de betrouwbaarheid en levensduur van het apparaat onder verschillende bedrijfsomstandigheden beïnvloeden.

MOSFET's worden veel gebruikt in energiebeheercircuits, motorsystemen en bij het schakelen van belastingen in verschillende elektronische apparaten. Hun vermogen om snel en met hoge efficiëntie te schakelen maakt ze waardevol bij het verminderen van energieverbruik en warmteproductie in elektronische systemen. Daarnaast hangt de keuze tussen N-kanaal en P-kanaal MOSFET's af van de specifieke vereisten van het circuit, inclusief de stroomrichting en het type belasting dat wordt aangedreven.

Over het algemeen houdt de selectie van een MOSFET een zorgvuldige analyse in van de elektrische kenmerken, thermische prestaties en de specifieke vereisten van de toepassing. Betrouwbaarheid, efficiëntie en naleving van milieuvoorschriften zijn ook belangrijke overwegingen in het selectieproces.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 2/10
  • Hobby: 1/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components