2N7002ET7G: N-kanaal MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, Lage RDS(on)
onsemi

De 2N7002ET7G is een N-kanaal MOSFET van onsemi, ontworpen voor efficiënt energiebeheer en schakeltoepassingen. Het heeft een drain-bronspanning (VDS) van 60V en een maximale continue drainstroom (ID) van 310mA, waardoor het geschikt is voor een verscheidenheid aan laagvermogen toepassingen. Dit component maakt gebruik van trenchtechnologie om lage weerstandswaarden in geleidingstoestand (RDS(on)) van 2.5Ω bij 10V en 3.0Ω bij 4.5V te bereiken, wat zorgt voor efficiënte werking en verminderde vermogensdissipatie.

De compacte SOT-23 behuizing is geoptimaliseerd voor oppervlaktemontagetechnologie, waardoor het mogelijk is om PCB-lay-outs met hoge dichtheid te realiseren. De 2N7002ET7G is AEC-Q101 gekwalificeerd en PPAP-capabel, wat wijst op zijn betrouwbaarheid en geschiktheid voor automotive toepassingen. Daarnaast is het loodvrij, halogeenvrij/BFR-vrij en RoHS-compatibel, waardoor het een milieuvriendelijke keuze is voor elektronische ontwerpen.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-tot-Source Spanning (VDS): 60V
  • Continue Drainstroom (ID): 310mA
  • Weerstand in Geleidingstoestand (RDS(on)): 2,5Ω bij 10V, 3,0Ω bij 4,5V
  • Gate-tot-Source Spanning (VGS): ±20V
  • Vermogensdissipatie: 300mW stabiele toestand, 420mW voor <5s
  • Bedrijfstemperatuurbereik: -55°C tot +150°C
  • Behuizing: SOT-23

2N7002ET7G Datasheet

2N7002ET7G datasheet (PDF)

2N7002ET7G Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor 2N7002ET7G, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Laagzijdige belastingsschakelaar
  • Niveauschakelcircuits
  • DC-DC-omzetters
  • Draagbare toepassingen (bijv. digitale camera's, PDA's, mobiele telefoons)

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

MOSFETs (Metaal-Oxide-Semiconductor Veld-Effect Transistors) zijn een type transistor dat wordt gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze zijn een essentieel onderdeel in een breed scala aan elektronische apparaten vanwege hun hoge efficiëntie en snelle schakelmogelijkheden. N-kanaal MOSFETs, zoals de 2N7002ET7G, worden doorgaans gebruikt in toepassingen waarbij belastingsstromen moeten worden geregeld door een spanning die op de gate-terminal wordt toegepast.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een bepaalde toepassing zijn verschillende parameters belangrijk om te overwegen, waaronder de drain-to-source spanning (VDS), gate-to-source spanning (VGS), continue drainstroom (ID) en on-weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus te hanteren en zijn efficiëntie in het circuit.

Het type verpakking speelt ook een belangrijke rol in de prestaties van het onderdeel, met name op het gebied van thermisch beheer en voetafdruk op de PCB. Voor toepassingen die hoge betrouwbaarheid vereisen, zoals automotive of industrieel, is het ook belangrijk om de naleving van het onderdeel met industrienormen en kwalificaties te overwegen.

Over het algemeen zal de keuze van een MOSFET aanzienlijk invloed hebben op de prestaties, efficiëntie en betrouwbaarheid van het elektronische apparaat waarin het wordt gebruikt. Daarom is een grondig begrip van de specificaties van het component en hoe deze aansluiten bij de vereisten van de toepassing cruciaal voor een optimaal ontwerp.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 0/10
  • Hobby: 0/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components