PMV90ENE fra Nexperia er en 30 V, N-kanal Trench MOSFET, designet for bruk i en rekke applikasjoner som krever effektiv strømstyring og konvertering. Den er innkapslet i en kompakt SOT23 (TO-236AB) overflatemontert enhet (SMD) plastpakke, og utnytter avansert Trench MOSFET-teknologi for å oppnå høy ytelse i et lite fotavtrykk.
Denne MOSFET-en er kjennetegnet ved sin logikknivåkompatibilitet, som tillater den å bli direkte drevet av logikkretser uten behov for ytterligere driverkomponenter. Den har også veldig raske bryteregenskaper, som forbedrer dens egnethet for høyhastighets- og høyfrekvensapplikasjoner. Enheten inkluderer elektrostatisk utladningsbeskyttelse (ESD) som overstiger 2 kV HBM, og beskytter den mot skade fra statiske utladninger.
Transistor
N-kanals Trench MOSFETs er en type felt-effekt transistor (FET) som bruker en grøftportstruktur for å oppnå høyere tetthet og effektivitet sammenlignet med tradisjonelle planare MOSFETs. Disse komponentene er mye brukt i kraftkonvertering og -styring på grunn av deres evne til effektivt å kontrollere kraftflyt i kretser.
Når man velger en N-kanal Trench MOSFET, bør ingeniører vurdere parametere som dreneringskilde-spenning (VDS), portkilde-spenning (VGS), dreneringsstrøm (ID) og dreneringskilde på-tilstandsmotstand (RDSon). Disse parameterne bestemmer MOSFETens evne til å håndtere de nødvendige kraftnivåene og bryterfrekvensene i en gitt applikasjon.
I tillegg er pakningstypen og de termiske egenskapene viktige hensyn. SOT23-pakken er populær for sin kompakte størrelse, noe som gjør den egnet for applikasjoner med begrenset plass. Termisk styring er avgjørende for å forhindre overoppheting og sikre pålitelig drift under ulike forhold.
Til slutt er funksjoner som logikknivåkompatibilitet og ESD-beskyttelse gunstige for å forenkle kretskonstruksjon og forbedre komponentens holdbarhet.