2N7002K-7: N-kanal forbedringsmodus MOSFET, 60V, 380mA, SOT23

Diodes Inc.

2N7002K-7 fra Diodes Inc. er en N-kanal forbedringsmodus MOSFET designet for effektiv strømstyring og motorstyringsapplikasjoner. Den kommer i en kompakt SOT23 pakke, noe som gjør den egnet for høy tetthet PCB-layouter. Denne MOSFETen er karakterisert ved sin lave på-tilstandsmotstand (RDS(ON)) og raske bryteregenskaper, som er avgjørende for å minimere strømtap og forbedre den generelle systemeffektiviteten.

Med en maksimal drenering-kilde-spenning (VDSS) på 60V og en kontinuerlig dreneringsstrøm (ID) på opptil 380mA ved 25°C, er 2N7002K-7 godt egnet for et bredt spekter av applikasjoner. Den har også lav inngangs- og utgangslekkasjestrøm, noe som sikrer minimalt strømtap når den er i av-tilstand. Enheten er ESD-beskyttet opp til 2kV, noe som gir ekstra pålitelighet og robusthet i tøffe miljøer.

• Drain-Source Spenning (VDSS): 60V
• Kontinuerlig Drain Strøm (ID): 380mA ved 25°C
• Statisk Drain-Source Motstand ved Påslått Tilstand (RDS(ON)): 2Ω ved VGS = 10V
• Gate-Source Spenning (VGSS): ±20V
• Maksimal Effektdissipasjon (PD): 370mW
• Driftstemperaturområde: -55 til +150°C
• Pakke: SOT23

• Motorstyring
• Strømstyringsfunksjoner
• Bakgrunnsbelysning

N-kanal forbedringsmodus MOSFET-er er halvlederenheter som er mye brukt i elektroniske kretser for bryter- og forsterkningsformål. Disse komponentene opererer ved å bruke et elektrisk felt for å kontrollere ledningsevnen til en kanal i et halvledermateriale, som tillater eller blokkerer strømmen av strøm.

Når man velger en N-kanals MOSFET, bør ingeniører vurdere flere nøkkelparametere som drenering-kilde-spenning (VDSS), kontinuerlig dreneringsstrøm (ID) og statisk drenering-kilde-motstand (RDS(ON)). Disse parameterne bestemmer MOSFETens evne til å håndtere spennings- og strømnivåer i en gitt applikasjon, samt dens effektivitet og termiske ytelse.

I tillegg er også bryterhastigheten, inngangskapasitansen og pakningen viktige faktorer. Raske bryterhastigheter er ønskelige for å redusere brytertap, mens lav inngangskapasitans hjelper i å oppnå høyere driftsfrekvenser. Pakningstypen påvirker termisk styring og fysisk integrasjon av MOSFET i kretsen.

N-kanal MOSFET-er brukes vanligvis i strømforsyningssirkler, motorstyringsapplikasjoner og som bryteelementer i ulike elektroniske enheter. Deres evne til effektivt å kontrollere høye strømmer og spenninger samtidig som de minimerer strømtap, gjør dem til essensielle komponenter i moderne elektronisk design.