2N7002ET1G: N-kanal MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, lav RDS(on)
onsemi

2N7002ET1G er en N-kanal MOSFET designet for effektiv strømstyring og signalbehandling i et bredt spekter av applikasjoner. Denne enheten bruker trench-teknologi for å oppnå lav på-motstand (RDS(on)) og høy svitsjeytelse, noe som gjør den egnet for høyeffektiv strømkonvertering og kontroll. Den lille SOT-23-pakken muliggjør kompakte design i plassbegrensede applikasjoner.

Med en maksimal drain-til-source-spenning på 60 V og en kontinuerlig drain-strøm på 310 mA, er 2N7002ET1G i stand til å håndtere moderate effektnivåer. Den lave terskelspenningen sikrer enkel drift fra logiske kretser, noe som forbedrer kompatibiliteten med en rekke kontrollgrensesnitt. Enheten er AEC-Q101-kvalifisert og PPAP-kompatibel, noe som gjør den egnet for bilapplikasjoner og andre krevende miljøer.

Nøkkelspesifikasjoner og funksjoner

  • Drain-to-Source Voltage (VDSS): 60V
  • Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20V
  • Continuous Drain Current (ID): 310mA
  • Power Dissipation: 300mW
  • RDS(on): 2,5Ω ved 10V, 3,0Ω ved 4,5V
  • Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA): 417°C/W steady state
  • Operating Junction Temperature Range: -55°C til +150°C
  • Input Capacitance (CISS): 40pF
  • Total Gate Charge (QG(TOT)): 0,81nC

2N7002ET1G Datablad

2N7002ET1G datablad (PDF)

2N7002ET1G Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter som kan fungere som erstatning for 2N7002ET1G, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • Lavside lastbryter
  • Nivåskiftkretser
  • DC-DC-omformere
  • Bærbare applikasjoner (f.eks. digitalkameraer, PDA-er, mobiltelefoner)

Kategori

Transistorer

Generell informasjon

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en grunnleggende komponent i elektroniske kretser, og fungerer som effektive brytere eller forsterkere. De er mye brukt i strømkonvertering og -styring, signalbehandling og som lastdrivere i ulike applikasjoner. MOSFET-er tilbyr høy inngangsimpedans og lav utgangsimpedans, noe som gjør dem svært effektive for svitsjeapplikasjoner.

Når ingeniører velger en MOSFET, bør de vurdere enhetens maksimale spennings- og strømklassifiseringer, RDS(on) for energieffektivitet, svitsjehastighet og termisk ytelse. Innpakningen er også viktig for fysisk integrasjon i kretsen. MOSFET-er er tilgjengelige i ulike typer, som N-kanal for høyhastighetssvitsjing og P-kanal for enklere styring.

2N7002ET1G, med sin lave RDS(on) og kompakte SOT-23-pakke, er et eksempel på en MOSFET designet for effektiv svitsjing og strømstyring i både bil- og bærbare enhetsapplikasjoner. Dens trench-teknologi og lave terskelspenning gjør den egnet for høyeffektive applikasjoner.

For applikasjoner som krever høy pålitelighet, som bilindustrien, sikrer valg av en MOSFET som er AEC-Q101-kvalifisert og PPAP-kompatibel, som 2N7002ET1G, at komponenten oppfyller strenge kvalitetsstandarder. Å forstå de termiske egenskapene og sikre tilstrekkelig varmeavledning er også avgjørende for å forhindre overoppheting og sikre langsiktig pålitelighet.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Bedrift: 4/10
  • Hobby: 2/10

Database for elektroniske komponenter

Popular electronic components