2N7002K-T1-GE3 er en N-kanal MOSFET fra Vishay Siliconix, designet for raske bryterapplikasjoner. Den opererer ved en drain-source spenning (VDS) på 60V, med en maksimal drain strøm (ID) på 0.3A. Enheten har en lav på-motstand (RDS(on)) på 2 Ohm når VGS er 10V, noe som bidrar til dens effektivitet i kretsen. I tillegg skryter den av en lav terskelspenning på 2V (typisk) og en rask bryterhastighet på 25ns, noe som forbedrer dens ytelse i høyhastighetskretser.
Denne MOSFETen er innkapslet i en kompakt SOT-23 (TO-236) pakke, noe som gjør den egnet for plassbegrensede applikasjoner. Den tilbyr også lav inngangs- og utgangslekkasje, lav inngangskapasitans på 25pF, og er utstyrt med 2000V ESD-beskyttelse, noe som sikrer pålitelighet under ulike driftsforhold. 2N7002K-T1-GE3 er designet for applikasjoner som krever høyhastighetsbryting og lavspenningsdrift, noe som gjør den til et ideelt valg for direkte logikk-nivå grensesnitt, drivere, batteridrevne systemer og faste reléer.
MOSFET
N-kanal MOSFET-er er en type felteffekttransistor (FET) som er mye brukt i elektroniske kretser for å bryte og forsterke signaler. De fungerer ved å bruke et elektrisk felt til å kontrollere ledningsevnen til en kanal i et halvledermateriale. N-kanal MOSFET-er er spesielt kjent for deres høy effektivitet og raske bryteegenskaper.
Når man velger en N-kanal MOSFET, bør flere nøkkelparametere vurderes, inkludert drain-source-spenningen (VDS), gate-source-spenningen (VGS), kontinuerlig drain-strøm (ID), og on-motstand (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer enhetens evne til å håndtere spenning og strøm i spesifikke applikasjoner. I tillegg er bryterhastigheten, representert ved på- og av-brytingstidene, kritisk for applikasjoner som krever rask bryting.
Terskelspenningen (VGS(th)) er en annen viktig faktor, som indikerer minimum port-kilde-spenning som kreves for å slå enheten på. Lavere terskelspenninger kan være fordelaktige i lavspenningsapplikasjoner. Inngangs- og utgangskapasitanser påvirker bryterhastigheten og strømforbruket under bryterhendelser.
N-kanal MOSFET-er brukes i et bredt spekter av applikasjoner, fra strømstyring og konvertering til signalbehandling og høyhastighetsbryterkretser. Deres allsidighet og effektivitet gjør dem til essensielle komponenter i moderne elektronisk design.