T2N7002BK,LM(T: N-kanal MOSFET, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1,05Ω
Toshiba

T2N7002BK er en silisium N-kanal MOSFET designet for høyhastighets svitsjeapplikasjoner. Den har en lav drain-source på-motstand (RDS(ON)) på 1,05 Ω (typisk) ved VGS = 10V, noe som gjør den egnet for effektiv strømstyring i ulike kretser. Komponenten er pakket i en kompakt SOT23-form, noe som letter integrering i design med begrenset plass.

Denne MOSFET-en støtter en drain-source-spenning (VDSS) på opptil 60V og kan håndtere en kontinuerlig drain-strøm (ID) på opptil 400mA, med pulset drain-strømkapasitet opptil 1200mA. Den inkorporerer også ESD-beskyttelse med et HBM-nivå på 2 kV, noe som forbedrer påliteligheten i sensitive miljøer. T2N7002BK er optimalisert for ytelse med en rekke gate-source-spenninger, og viser allsidighet under forskjellige driftsforhold.

Nøkkelspesifikasjoner og funksjoner

  • Drain-Source-spenning (VDSS): 60V
  • Gate-Source-spenning (VGSS): ±20V
  • Kontinuerlig drain-strøm (ID): 400mA
  • Pulsert drain-strøm (IDP): 1200mA
  • Drain-Source på-motstand (RDS(ON)): 1,05 Ω (typ.) ved VGS = 10V
  • Effekttap (PD): 320 mW til 1000 mW
  • Kanaltemperatur (Tch): 150°C
  • ESD-beskyttelse: HBM nivå 2 kV

T2N7002BK,LM(T Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter som kan fungere som erstatning for T2N7002BK,LM(T, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • Høyhastighets svitsjeapplikasjoner

Kategori

MOSFET

Generell informasjon

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en grunnleggende komponent i elektronisk design, og tilbyr høy effektivitet og pålitelighet for svitsje- og forsterkningsoppgaver. De fungerer ved å spenningsstyre ledningsevnen mellom drain- og source-terminalene, noe som gjør dem essensielle for strømstyring, signalbehandling og mer.

Når man velger en MOSFET, inkluderer nøkkelparametere drain-source-spenning (VDSS), drain-strøm (ID), gate-source-spenning (VGSS) og drain-source på-motstand (RDS(ON)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere høye spenninger, strømmer og dens effektivitet. I tillegg er innpakning, termisk styring og ESD-beskyttelsesnivå viktige hensyn.

For høyhastighets svitsjeapplikasjoner foretrekkes en MOSFET med lav RDS(ON) for å minimere effekttap og varmeutvikling. Valget av gate-source-spenningsområde (VGSS) påvirker også kompatibiliteten med driverkretser. Dessuten er forståelse av de termiske egenskapene og sikring av tilstrekkelig varmeavledning kritisk for pålitelig drift.

Oppsummert innebærer valg av riktig MOSFET en nøye analyse av elektriske egenskaper, termiske egenskaper og applikasjonskrav. MOSFET-er som T2N7002BK, med sin lave RDS(ON) og robuste beskyttelsesfunksjoner, tilbyr et overbevisende alternativ for ingeniører som ønsker å optimalisere designene sine for ytelse og pålitelighet.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Bedrift: 2/10
  • Hobby: 1/10

Database for elektroniske komponenter

Popular electronic components