2N7002-7-F: N-kanal MOSFET, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7,5Ω
Diodes Inc.

2N7002-7-F er en N-kanal Enhancement Mode MOSFET designet for å tilby lav på-tilstand motstand (RDS(ON)) samtidig som den opprettholder overlegen svitsjeytelse. Denne MOSFET-en har en maksimal drain-source-spenning (VDSS) på 60V, en kontinuerlig drain-strøm (ID) på 210mA, og en maksimal RDS(ON) på 7,5Ω ved en gate-source-spenning (VGS) på 5V. Designet er optimalisert for høy effektivitet i strømstyringsapplikasjoner, og kombinerer lav gate-terskelspenning, lav inngangskapasitans og rask svitsjehastighet i en liten overflatemontert SOT-23-pakke.

Denne komponenten er egnet for en rekke applikasjoner, inkludert motorstyring og strømstyringsfunksjoner, der effektiv strømhåndtering og pålitelig ytelse er viktig. 2N7002-7-F er produsert av Diodes Inc. og er fullt kompatibel med RoHS-standarder, noe som gjør den til et passende valg for miljøbevisste applikasjoner.

Nøkkelspesifikasjoner og funksjoner

  • Drain-Source Spenning (VDSS): 60V
  • Kontinuerlig Drain-strøm (ID): 210mA
  • Statisk Drain-Source På-Motstand (RDS(ON)): 7,5Ω ved VGS=5V
  • Gate-Source Spenning (VGSS): ±20V kontinuerlig, ±40V pulset
  • Effekttap (PD): 370mW ved TA=25°C
  • Termisk motstand, overgang til omgivelse (RθJA): 348°C/W
  • Pakke: SOT-23

2N7002-7-F Datablad

2N7002-7-F datablad (PDF)

2N7002-7-F Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter som kan fungere som erstatning for 2N7002-7-F, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • Motorstyring
  • Strømstyringsfunksjoner

Kategori

Transistor

Generell informasjon

N-kanal Enhancement Mode MOSFET-er er mye brukt i elektroniske kretser for deres effektivitet og pålitelighet i svitsjeapplikasjoner. Disse komponentene fungerer ved å tillate strøm å flyte mellom drain- og source-terminalene når en tilstrekkelig spenning påføres gate-terminalen, og fungerer effektivt som en bryter. N-kanal-betegnelsen refererer til typen ladningsbærere (elektroner) som leder strøm gjennom enheten.

Når man velger en N-kanal MOSFET, vurderer ingeniører flere nøkkelparametere, inkludert drain-source-spenning (VDSS), drain-strøm (ID) og statisk drain-source på-motstand (RDS(ON)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere spennings- og strømkravene til applikasjonen, samt dens effektivitet. Gate-source-spenningen (VGSS) er også viktig, da den påvirker spenningen som kreves for å slå enheten av og på.

I applikasjoner som krever effektiv strømstyring og rask svitsjing, er MOSFET-ens lave RDS(ON) og raske svitsjehastighet spesielt verdifull. Den lille pakkestørrelsen, som SOT-23, er også fordelaktig for plassbegrensede design. I tillegg er overholdelse av miljøstandarder som RoHS ofte en vurdering ved valg av komponenter.

Samlet sett er N-kanal MOSFET-er som 2N7002-7-F essensielle for et bredt spekter av applikasjoner, fra motorstyring til strømstyringsfunksjoner, der effektiv og pålitelig strømsvitsjing er nødvendig.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Bedrift: 5/10
  • Hobby: 5/10

Database for elektroniske komponenter

Popular electronic components