BSS138BK fra Nexperia er en N-kanal forbedringsmodus felt-effekttransistor (FET) som bruker Trench MOSFET-teknologi for å tilby høy effektivitet og ytelse i en kompakt SOT23 (TO-236AB) overflatemontert enhet (SMD) plastpakke. Denne komponenten er designet for logikknivåkompatibilitet, med svært raske bryteregenskaper og elektrostatisk utladningsbeskyttelse (ESD) opp til 1.5 kV, noe som gjør den egnet for et bredt spekter av høyhastighetsbryterapplikasjoner.
Nøkkelegenskaper inkluderer en dreneringskilde-spenning (VDS) på 60V, portkilde-spenning (VGS) på ±20V, og en dreneringsstrøm (ID) på opptil 360mA ved 25°C omgivelsestemperatur. BSS138BK viser også en lav dreneringskilde på-tilstandsmotstand (RDSon) på 1 til 1.6Ω ved VGS = 10V og ID = 350mA, noe som sikrer effektiv drift. Dens termiske egenskaper og robuste design gjør den pålitelig for bruk i ulike applikasjoner, inkludert relédrivere, lavsidelastbrytere, høyhastighetslinjedrivere og byttekretser.
Transistor
N-kanals MOSFETer er en type felt-effekt transistor (FET) som er mye brukt i elektroniske kretser for å bryte og forsterke signaler. De opererer ved å bruke en inngangsspenning for å kontrollere strømmen gjennom en kanal. N-kanals betegnelsen refererer til typen ladningsbærere (elektroner) som beveger seg gjennom enheten.
Når man velger en N-kanals MOSFET, vurderer ingeniører parametere som drener-kilde-spenning (VDS), port-kilde-spenning (VGS), drenerstrøm (ID) og drener-kilde på-tilstandsmotstand (RDSon). Disse parameterne bestemmer enhetens evne til å håndtere spenning, strøm og kraftnivåer effektivt.
N-kanal MOSFET-er er foretrukket for deres høy effektivitet, raske brytehastigheter, og evnen til å drive betydelige strømmer. De finner anvendelse i en rekke kretser, inkludert strømforsyninger, motorstyringer, og elektroniske brytere. Nøkkelhensyn når man velger en N-kanal MOSFET inkluderer de spesifikke applikasjonskravene, termisk styring, og behovet for beskyttelsesfunksjoner som ESD-motstand.
BSS138BK eksemplifiserer bruken av Trench MOSFET-teknologi, som forbedrer ytelsen ved å redusere på-tilstandsmotstanden og forbedre bryterhastighetene. Dette gjør den egnet for applikasjoner som krever effektiv strømstyring og raske bryterkapasiteter.