T2N7002BK dari Toshiba adalah Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam-Oksida (MOSFET) Saluran-N silikon yang direka untuk aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi. Ia dikapsulkan dalam pakej SOT23 yang padat, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang terhad ruang. MOSFET ini mempunyai nilai rintangan hidup saliran-sumber (RDS(ON)) yang rendah, dengan nilai tipikal 1.05 Ω pada VGS = 10 V, 1.15 Ω pada VGS = 5.0 V, dan 1.2 Ω pada VGS = 4.5 V, memberikan operasi yang cekap dan meminimumkan kehilangan kuasa semasa operasi.
T2N7002BK menyokong voltan punca-saliran (VDSS) sehingga 60 V dan boleh mengendalikan arus saliran berterusan (ID) sehingga 400 mA, dengan arus saliran berdenyut (IDP) sehingga 1200 mA. Reka bentuknya yang teguh merangkumi ciri-ciri untuk memastikan kebolehpercayaan dan ketahanan di bawah pelbagai keadaan operasi, termasuk julat suhu saluran sehingga 150°C. Peranti ini juga menawarkan masa pensuisan yang pantas dan cas get yang rendah, menjadikannya sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi. Adalah penting untuk diperhatikan bahawa, seperti semua MOSFET, T2N7002BK sensitif terhadap nyahcas elektrostatik dan harus dikendalikan dengan langkah berjaga-jaga yang sewajarnya.
MOSFET
MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam-Oksida) ialah sejenis transistor yang digunakan untuk menguatkan atau menukar isyarat elektronik. Ia merupakan komponen penting dalam pelbagai peranti elektronik kerana kecekapan tinggi dan keupayaan pensuisan pantasnya. MOSFET Saluran-N, seperti T2N7002BK, biasanya digunakan dalam aplikasi yang memerlukan pengurusan kuasa yang cekap dan pensuisan berkelajuan tinggi.
Apabila memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa parameter utama mesti dipertimbangkan, termasuk voltan salir-punca (VDSS), arus salir (ID), pelesapan kuasa (PD), dan rintangan-on salir-punca (RDS(ON)). Voltan ambang get (Vth) dan cas get juga merupakan faktor penting yang mempengaruhi prestasi pensuisan dan kecekapan MOSFET.
MOSFET digunakan secara meluas dalam aplikasi penukaran dan pengurusan kuasa, termasuk penukar DC-DC, bekalan kuasa, dan litar kawalan motor. Keupayaan mereka untuk menukar dengan cekap pada kelajuan tinggi menjadikannya sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi. Walau bagaimanapun, adalah penting untuk mempertimbangkan pengurusan haba dan kepekaan nyahcas elektrostatik (ESD) MOSFET semasa reka bentuk dan pengendalian.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET harus berdasarkan pemahaman menyeluruh tentang keperluan aplikasi dan semakan teliti spesifikasi komponen. Ini memastikan prestasi optimum dan kebolehpercayaan dalam reka bentuk elektronik akhir.