2N7002K adalah MOSFET Mod Peningkatan Saluran-N 60V yang direka untuk aplikasi penukaran berprestasi tinggi. Ia menampilkan teknologi proses parit termaju yang membolehkan rintangan hidup ultra-rendah dan arus bocor yang sangat rendah dalam keadaan mati, menjadikannya sangat cekap untuk tugas pengurusan kuasa. MOSFET ini dilindungi ESD sehingga 2KV HBM, memastikan keteguhan dalam persekitaran sensitif.
Komponen ini direka khas untuk sistem yang dikendalikan bateri dan sangat sesuai untuk memacu geganti keadaan pepejal, paparan, dan modul memori. Pakej SOT-23 yang padat membolehkan reka bentuk penjimatan ruang, manakala reka bentuk sel berketumpatan tinggi menyumbang kepada rintangan-on yang rendah. Dengan voltan punca-saliran maksimum 60V dan kapasiti arus saliran berterusan 300mA, MOSFET ini serba boleh untuk pelbagai aplikasi.
MOSFET
MOSFET Saluran-N adalah komponen kritikal dalam litar elektronik, berfungsi sebagai suis atau penguat untuk isyarat elektrik. Ia digunakan secara meluas kerana kecekapan, kebolehpercayaan, dan keupayaan untuk mengendalikan tahap kuasa yang ketara. Apabila memilih MOSFET Saluran-N, faktor seperti voltan longkang-sumber (VDS), voltan get-sumber (VGS), arus longkang berterusan (ID), dan rintangan hidup longkang-sumber statik (RDS(on)) adalah terpenting. Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengawal aliran arus dengan cekap dan tanpa penjanaan haba yang berlebihan.
MOSFET 2N7002K menggunakan teknologi proses parit canggih untuk rintangan hidup ultra-rendah, yang penting untuk meminimumkan kehilangan kuasa dan meningkatkan kecekapan dalam aplikasi pengurusan kuasa. Ciri perlindungan ESD menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran di mana nyahcas elektrostatik boleh menimbulkan risiko kepada operasi peranti elektronik. Selain itu, pakej SOT-23 yang padat bermanfaat untuk reka bentuk di mana ruang adalah terhad.
Apabila memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, adalah penting untuk mempertimbangkan persekitaran operasi, termasuk suhu dan potensi pendedahan kepada nyahcas elektrostatik. Reka bentuk sel berketumpatan tinggi 2N7002K dan arus bocor yang sangat rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk sistem yang dikendalikan bateri, di mana kecekapan kuasa adalah kritikal. Tambahan pula, keupayaannya untuk memacu geganti keadaan pepejal dan peranti kuasa rendah lain menjadikannya komponen serba boleh untuk pelbagai reka bentuk elektronik.
Secara ringkasnya, 2N7002K N-Channel MOSFET adalah komponen yang sangat cekap dan dilindungi ESD yang sesuai untuk pelbagai aplikasi. Teknologi canggih dan pembungkusan padatnya menawarkan kelebihan ketara bagi jurutera yang mencari penyelesaian yang boleh dipercayai dan cekap ruang.