2N7002-T1-E3: MOSFET Saluran-N 60-V (D-S), VGS(th) 1-2.5V, ID 0.115A
Vishay

2N7002-T1-E3 ialah MOSFET Saluran-N yang dihasilkan oleh Vishay, direka untuk pengurusan kuasa yang cekap dan aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi. Komponen ini dicirikan oleh keupayaannya untuk mengendalikan voltan punca-sumber (VDS) sehingga 60V, dengan voltan ambang get-sumber (VGS(th)) antara 1 hingga 2.5V. Arus punca berterusan maksimum (ID) yang boleh disokongnya ialah 0.115A, menjadikannya sesuai untuk aplikasi arus rendah hingga sederhana.

Ciri-ciri utama 2N7002-T1-E3 termasuk rintangan-hidup yang rendah dan kelajuan pensuisan pantas, menyumbang kepada pengurangan kehilangan kuasa dan peningkatan kecekapan dalam litar elektronik. Peranti ini dipakej dalam faktor bentuk SOT-23 yang kompak, menawarkan keseimbangan antara prestasi dan saiz, menjadikannya ideal untuk aplikasi yang terhad ruang. Reka bentuknya yang teguh memastikan kebolehpercayaan dan jangka hayat yang panjang, walaupun dalam keadaan operasi yang mencabar.

Spesifikasi dan Ciri Utama

  • Voltan Saliran-Punca (VDS): 60V
  • Voltan Ambang Get-Punca (VGS(th)): 1 hingga 2.5V
  • Arus Saliran Berterusan (ID): 0.115A
  • Rintangan-Hidup (rDS(on)): 7.5 Ohm @ VGS = 10V
  • Kapasitans Input (Ciss): 22pF
  • Kelajuan Pensuisan: 7ns
  • Julat Suhu Operasi: -55 hingga 150°C

Helaian Data 2N7002-T1-E3

Lembaran data 2N7002-T1-E3 (PDF)

2N7002-T1-E3 Pengganti
Komponen alternatif setara yang mungkin berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002-T1-E3, komponen paling popular dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi
  • Litar pengurusan kuasa
  • Sistem kendalian bateri
  • Pemacu untuk geganti, solenoid, lampu, dan transistor

Kategori

Transistor

Maklumat umum

MOSFET Saluran-N adalah sejenis transistor kesan medan (FET) yang digunakan secara meluas dalam litar elektronik untuk menukar dan menguatkan isyarat. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan elektrik untuk mengawal kekonduksian saluran, membolehkan pengurusan kuasa yang cekap dan pensuisan berkelajuan tinggi. Penandaan 'Saluran-N' merujuk kepada jenis pembawa cas (elektron) yang mengalir melalui peranti.

Apabila memilih MOSFET Saluran-N, jurutera mempertimbangkan beberapa parameter utama termasuk voltan saliran-sumber (VDS), voltan ambang get-sumber (VGS(th)), dan arus saliran berterusan (ID). Parameter ini menentukan kesesuaian MOSFET untuk aplikasi tertentu, dari penukaran kuasa hingga penguatan isyarat.

Kelebihan menggunakan MOSFET Saluran-N termasuk kecekapan tinggi, kelajuan pensuisan pantas, dan rintangan-hidup yang rendah, yang menyumbang kepada pengurangan kehilangan kuasa dan penjanaan haba. Walau bagaimanapun, adalah penting untuk memastikan spesifikasi MOSFET sepadan dengan keperluan aplikasi yang dimaksudkan, termasuk voltan operasi, kapasiti arus, dan frekuensi pensuisan.

Selain spesifikasi elektrik, pembungkusan dan pengurusan haba juga merupakan pertimbangan penting. Jenis pakej mempengaruhi rintangan haba MOSFET dan, akibatnya, keupayaannya untuk melesapkan haba. Pengurusan haba yang betul adalah penting untuk mengekalkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti dari masa ke masa.

Indeks Populariti PartsBox

  • Perniagaan: 3/10
  • Hobi: 2/10

Pangkalan Data Komponen Elektronik

Popular electronic components